適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量,電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm(可擴(kuò)展至0.01Ω?cm),解決了微波光電導(dǎo)無(wú)法檢測(cè)低阻單晶硅的問(wèn)題。
全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過(guò)程,避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無(wú)法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問(wèn)題。
貫穿深度大,達(dá)500微米,相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度,真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量,避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
多晶硅少子壽命測(cè)試儀配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源1、1.07μm波長(zhǎng)紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。2、0.904~0.905μm波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。多金硅少子壽命測(cè)試儀 測(cè)量范圍:1、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。2、拋光面:電阻率在0.1~0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。可測(cè)范圍:1、分體式:2μS—10ms2、一體式:0.5μS—20ms