電纜的理想屏系數(shù)γ小于或等于0.3。彎曲半徑敷設(shè)時的彎曲半徑不小于電纜外徑的15倍。適用的頻率范圍    綜合扭絞的扭絞線對適用于音頻范圍以內(nèi)的設(shè)備，也可用于一般的工頻以下或直流設(shè)備。 ①額定電壓Uo/ U:300/500V。②工作溫度：一般型不超過70℃；型號后帶105的不超過105℃ia-K2YV 本安型PE絕緣、PVC護(hù)套二芯絞合屏蔽控制電纜 1、固定敷設(shè)在室內(nèi)、電纜溝或管道中 2、電纜的工作溫度：-15℃~+105℃ 3、電纜的敷設(shè)溫度不低于0℃，短接折疊提供了金屬與金屬之間的接觸，而絕緣折疊防止了多線對纜單對屏蔽間的相互短路。Z－Fold的設(shè)計增加了高頻段箔層屏蔽的有效范圍。

箔層的設(shè)計
作為屏蔽技術(shù)的創(chuàng)新者，開發(fā)了幾種專有的屏蔽設(shè)計方案。是教早開發(fā)以鋁/聚脂箔層作為電纜屏蔽的廠家，并被授予相關(guān)。
箔層屏蔽一般是在導(dǎo)體絕緣層上粘合一層附著物。粘合的優(yōu)點(diǎn)在于進(jìn)行更加快捷、方便及可靠地端接。此外，粘合還能防止屏蔽層下的水分發(fā)生擴(kuò)散。如果電纜護(hù)套破損，粘合的屏蔽還能幫助保護(hù)電纜絕緣層免受污染。彎曲半徑不小于電纜外徑的10倍 4、額定電壓300/350V 5、應(yīng)于非本安型電纜分開敷設(shè)或進(jìn)行有效的隔離。

10kV交聯(lián)聚乙烯絕緣ia-DJYPLV高溫本安電纜

ZR-IJVPVP、ZR-IJVVP、ZA-IJYPVPR、IJYP2VR、IA-RVV、IA-RVVP、IA-RVVP2、IA-VV、IA-VVR、IA-YJVR、IA-KYJVP、IA-KYJVRP、IA-KYJVPR、IA-KVVPR、IA-KVV22P、IA-KVVP22、IA-KVVP2-22、IYJVPR、IJVPVR、IJVPVP、IJVVP、IJVPRV、IJVPVPRZR-IA-KVVRP、ZR-IA-KVVP2、ZR-IA-KVVRP2、

屏蔽電纜接地，屏蔽電纜屏蔽層不接地、一點(diǎn)接地、兩點(diǎn)接地將直接影響屏蔽電纜電纜芯的電場屏蔽、磁場屏蔽效果。屏蔽層接地產(chǎn)生的電場屏蔽，由于兩根平行導(dǎo)線之間存在耦合電容，屏蔽層與電纜芯也存在耦合電容，這樣電場耦合會產(chǎn)生串聯(lián)干擾，不考慮干擾源導(dǎo)線對電纜芯的耦合。屏蔽層兩點(diǎn)接地應(yīng)注意的問題，如果屏蔽電流不是由于磁通包圍屏蔽電纜產(chǎn)生，如兩個接地點(diǎn)地電位不等產(chǎn)生屏蔽電流，將引起額外的沖擊干擾電壓。這是因?yàn)槿绻麅蓚€接地點(diǎn)地電位不等，其產(chǎn)生的干擾電流必然會流過屏蔽層，通過屏蔽層與纜芯的轉(zhuǎn)移阻抗回路耦合到電纜芯上，形成附加干擾。這就要求對此干擾水平進(jìn)行預(yù)測，就高壓變電所而言，對全所接地電阻有嚴(yán)格要求，且大部分二次設(shè)備為強(qiáng)電輸入，模擬量回路也加裝了濾波電容。根據(jù)運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)，只要接地電阻滿足相關(guān)規(guī)程要求，地電位差引起的附加干擾不會影響設(shè)備運(yùn)行。如果特殊情況不滿足要求，可通過技術(shù)經(jīng)濟(jì)比較采用如下兩種方法：一是并行敷設(shè)大截面銅導(dǎo)體，降低電位差，二是采用雙層屏蔽電纜，這種電纜在芯線外有兩個互相絕緣的屏蔽層，內(nèi)屏蔽層作信號回流線，外屏蔽層兩端接地，流過地環(huán)路電流，不會影響信號回路。如果變電所與相距較遠(yuǎn)的通信站之間通過屏蔽電纜連接，屏蔽層兩點(diǎn)接地時，應(yīng)并行敷設(shè)一根或多根大截面銅導(dǎo)線，以防止大入地電流流過通流容量極小的屏蔽層，燒毀屏蔽層。當(dāng)然以上這些問題不應(yīng)成為反對屏蔽電纜屏蔽層兩點(diǎn)接地的理由。

10kV交聯(lián)聚乙烯絕緣ia-DJYPLV高溫本安電纜