按照IEC標(biāo)準(zhǔn)，電纜的電壓等級(jí)為U0/U(Um),其中U0為電纜及其附件的導(dǎo)體與屏蔽或金屬護(hù)套之間的額定工頻電壓有效值；U為電纜及其附件的導(dǎo)體之間的額定工頻電壓有效值；Um為電纜及其附件的導(dǎo)體之間的Z大工頻電壓有效值，對(duì)于中低壓系統(tǒng)，Um=1.2U。  

對(duì)于電壓型變壓器的輸入電纜，輸入電壓為正弦波，電壓的畸變一般在4%左右（該電壓的畸變率大小與電源系統(tǒng)的容量以及配電變壓器的阻抗有關(guān)），而變頻器的輸出電壓波形為PWM調(diào)制方波，這就不得不考慮如下因素:  

(1) 由于開(kāi)關(guān)速度的提高，過(guò)大的dv/dt使得介質(zhì)的電壓分布由均勻而變得不均勻，這無(wú)疑提高了對(duì)絕緣介質(zhì)的品質(zhì)要求。  

(2) Um原為工頻電源電壓的峰值，但是由于變頻器存在電機(jī)再生電壓回饋的因素，通常再生電壓在控制的情況下，可達(dá)到1.4Um甚至更高。由此可見(jiàn)，額定電壓380V的變頻器必須選用耐壓750V以上的電纜產(chǎn)品，這顯然與常規(guī)選取有所不同。

原因分析

變頻器的輸出到電機(jī)的電纜長(zhǎng)度受到很多因素的影響，這其中的原因主要有以下幾點(diǎn)：（1）分布電容。所謂分布電容，就是指由非電容形態(tài)形成的一種分布參數(shù)。一般是指在印制板或其他形態(tài)的電路形式，在線(xiàn)與線(xiàn)之間、印制板的上下層之間形成的電容。而變頻器輸出距離受限的問(wèn)題，和電纜的分布電容有密切關(guān)系，不只是電容器才有電容，實(shí)際上任何兩個(gè)絕緣導(dǎo)體之間都存在電容。例如導(dǎo)線(xiàn)之間，導(dǎo)線(xiàn)與大地之間，都是被絕緣層和空氣介質(zhì)隔開(kāi)的，所以都存在著電容

通常情況下，這個(gè)電容值很小（一般在15～30nf/100m左右），電纜長(zhǎng)度較短時(shí)，它的實(shí)際影響可以忽略不計(jì)，如果電纜很長(zhǎng)或傳輸信號(hào)頻率很高時(shí)，就必須考慮分布電容的作用。

4mm2載流量38A耐火型NH-BPGVFP變頻電纜

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對(duì)于電壓型變頻器來(lái)說(shuō)，輸出給電動(dòng)機(jī)的負(fù)載電流中，除了基波分量還含有諧波分量，通常在導(dǎo)線(xiàn)截面選取時(shí)，往往容易忽略諧波以及諧波所引起的發(fā)熱因素。在提出這個(gè)問(wèn)題之后，就涉及到如何計(jì)量變頻器的輸出電流。  *，以往是采用平均相應(yīng)的有效值表來(lái)測(cè)量交流正弦波電流的，所謂交流電流的有效值，是指電流的等效熱效應(yīng)或方均根值，其數(shù)值等同于一個(gè)直流電流，當(dāng)直流電流與被測(cè)的交流電流具有同樣的熱效應(yīng)，這個(gè)值就稱(chēng)為有效值。常用的測(cè)量有效值方法是將交流電流整流，得到整流信號(hào)的平均值，然后用一個(gè)波形系數(shù)1.1與結(jié)果相乘就可以得出有效值，這個(gè)因數(shù)代表了一個(gè)純正弦波的有效值與平均值的比例關(guān)系。  對(duì)于頻率變化并存在畸變的正弦波電流，必須采用真有效值測(cè)量方法進(jìn)行測(cè)量。真有效值顧名思義就是真正的有效值，無(wú)論何種情況（頻率、諧波、溫度等條件的變化），測(cè)量電路將根據(jù)下列計(jì)算公式自動(dòng)正確地計(jì)算熱效應(yīng)。

(1)  真有效值測(cè)量與平均響應(yīng)的非真有效測(cè)量相比，后者Z大可達(dá)50%以上。因此，依據(jù)真有效值來(lái)選取電路的載流量才是正確的。  

變頻器除了向電動(dòng)機(jī)輸出上述負(fù)載電流之外，還額外輸出電容電流，每相電容電流  (2)  

電容電流的大小與電纜的長(zhǎng)度、電纜的分布電容以及變頻器的載波頻率成正比。這些電容電流都將使電纜的實(shí)際電流增大。  4 關(guān)于電纜的屏蔽  

電磁屏蔽能有效地抑制空間的電磁干擾，因此，變頻器輸入、輸出電纜的屏蔽與控制電纜的屏蔽一樣重要。  電磁場(chǎng)屏蔽對(duì)于電磁波衰減的機(jī)理是:  

(1) 屏蔽層引進(jìn)了新的分布電容，改變了原來(lái)的分布電容結(jié)構(gòu)，Z終使受感物的干擾感應(yīng)電壓減弱。  (2) 導(dǎo)電的磁屏蔽層處在交變電磁場(chǎng)中將產(chǎn)生感應(yīng)電流，導(dǎo)致電磁場(chǎng)在該導(dǎo)電媒質(zhì)中按指數(shù)規(guī)律衰減。電磁波的透入深度 (3)  

式中，m為材料的相對(duì)導(dǎo)磁率;g為材料的電導(dǎo)率， 對(duì)于頻率很高的電磁波幾乎不能透入銅、鋁、鐵等金屬，上述材料均可用作電磁屏蔽材料。  

(3) 當(dāng)電磁波到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于介質(zhì)與金屬屏蔽層的交界面上阻抗的不連續(xù)性，將對(duì)入射波產(chǎn)生反射，這種反射與屏幕材料的厚度無(wú)關(guān)，而只與交界面的波阻抗的不連續(xù)有關(guān)。  

(4) 未被屏蔽層反射而進(jìn)入屏蔽體的能量，在體內(nèi)向前傳播時(shí)，將屏蔽材料所衰減，這是一種稱(chēng)為吸收的物理過(guò)程。  

(5) 在屏蔽體內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量，在遇到屏蔽層和介質(zhì)的交界面時(shí)，會(huì)形成再次反射，并重新回到屏蔽體內(nèi)，這種反射可產(chǎn)生多次。  

綜上所述，電磁屏蔽對(duì)電磁干擾的衰減主要基于電磁波的反射和吸收。不同的屏蔽材料以及材料的厚度對(duì)于電磁波的吸收效果是不一樣的。  

對(duì)于反射損耗，它不但與屏蔽材料的表面阻抗有關(guān)，也與波阻抗的大小以及輻射源的類(lèi)型有關(guān)。圖Ia和圖Ib分別給出了低阻抗磁場(chǎng)計(jì)算反射損耗和高阻抗電場(chǎng)計(jì)算反射損耗的列線(xiàn)圖，圖中五條平行的列線(xiàn)自左至右分別為頻率、反射損耗、輻射源到屏蔽層之間的距離、無(wú)刻度的參考線(xiàn)和所選定屏蔽材料的電導(dǎo)率與磁導(dǎo)率之比，在具體計(jì)算時(shí)，可根據(jù)已知距離和選定的金屬材料，在該列線(xiàn)的對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間連一直線(xiàn)，得到與參考線(xiàn)的交點(diǎn)，再在這個(gè)交點(diǎn)與相應(yīng)的頻率上連另一條直線(xiàn)，后一條直線(xiàn)與反射損耗線(xiàn)的交點(diǎn)即為所求的反射損耗值。如果已知頻率和反射損耗值，也可以利用它們的連線(xiàn)在參考線(xiàn)上的交點(diǎn)，反過(guò)來(lái)求出所選定的金屬材料和必須有的輻射源到屏蔽層之間的距離。  

圖2給出計(jì)算吸收損耗的列線(xiàn)圖，圖中五條平行的列線(xiàn)自左至右分別為頻率、吸收損耗、材料厚度、無(wú)刻度參考線(xiàn)和可選用的材料。在具體計(jì)算時(shí)，可根據(jù)選定的金屬材料和厚度在兩條列線(xiàn)上相應(yīng)點(diǎn)之間連一條直線(xiàn)，在參考線(xiàn)上得到一個(gè)交點(diǎn)，然后再在交點(diǎn)與頻率線(xiàn)上連一條直線(xiàn)，可在吸收損耗線(xiàn)獲得另一個(gè)交點(diǎn)，該點(diǎn)的讀數(shù)即為所求的吸收損耗值。反之，也可以根據(jù)頻率所要求的吸收損耗來(lái)連一根線(xiàn)，通過(guò)這個(gè)線(xiàn)在參考線(xiàn)上的交點(diǎn)再進(jìn)一步求取不同的材料和必須具有的厚度，這在設(shè)計(jì)或選用屏蔽電纜時(shí)都十分有用。

4mm2載流量38A耐火型NH-BPGVFP變頻電纜