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產(chǎn)品應(yīng)用

• 設(shè)備用于Lidar應(yīng)用激光器芯片、工業(yè)級(jí)高功率激光器，醫(yī)療與顯示等高功率激光器芯片領(lǐng)域

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 支持多種主流規(guī)格料盒，全自動(dòng)上下料，避免轉(zhuǎn)料或人工操作對(duì)巴條chip造成的報(bào)廢

• 支持BAR條自動(dòng)上料、首顆chip識(shí)別定位，支持ID識(shí)別、自動(dòng)測(cè)試、自動(dòng)判斷BAR條測(cè)試結(jié)束、自動(dòng)下料

• 吸嘴、探針與BAR條接觸壓力可調(diào)
• 自制4探針結(jié)構(gòu)，支持四線制電壓測(cè)試，電流加電回路低電感設(shè)計(jì)，支持ns級(jí)窄脈沖輸出,2個(gè)針P極，2個(gè)針N極；探針結(jié)構(gòu)支持探針下壓力可控調(diào)節(jié)、支持壓力檢測(cè)

• 集成自主開(kāi)發(fā)的大電流30A、窄脈沖100ns測(cè)試儀表，支持BAR條LIV、光譜、遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試

• 典型LIV測(cè)試曲線

• 支持MAP圖繪制，方便用戶對(duì)wafer的性能分布情況分析

• 支持NG Chip打點(diǎn)標(biāo)記，支持簡(jiǎn)單的芯片外觀檢查
• 支持常溫、高溫測(cè)試
• 多維度可調(diào)測(cè)量結(jié)構(gòu)，滿足用戶對(duì)不同規(guī)格巴條測(cè)量需求

參數(shù)	指標(biāo)
適用巴條尺寸	長(zhǎng)度：15~30mm 寬度：1~3mm，其他BAR條寬度可定制測(cè)試臺(tái)
脈沖電流輸出	范圍0~30A，精度0.5%rdg±200mA
脈沖特性	最小脈寬：100ns，占空比：0.1%
脈沖電壓測(cè)量	范圍0~40V，精度0.5%rdg±200mV 四線制，峰值檢測(cè)
脈沖電流測(cè)量	范圍0~30A，精度0.5%rdg±200mA，峰值檢測(cè)
光功率測(cè)量	等效光電流檢測(cè)量程和精度：范圍0~5mA，0.5%rdg±25uA，峰值檢測(cè) 基礎(chǔ)配置支持100W輸入光功率，不同功率范圍可配置不同的衰減片，支持定制
遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角測(cè)試	范圍±45°
測(cè)試效率 (典型值)[1]	單顆chip單溫度測(cè)試時(shí)間： LIV+光譜（1個(gè)電流點(diǎn)）+ID識(shí)別+機(jī)械運(yùn)動(dòng)總時(shí)間<9s（不包含上下料運(yùn)動(dòng)時(shí)間）
波長(zhǎng)范圍	默認(rèn)PD:800-1700 nm，短波長(zhǎng)可選配400-1100的PD
高溫臺(tái)溫控范圍	室溫+15～85℃，精度<±1℃
工作臺(tái)溫度串?dāng)_	高溫臺(tái)@85℃，常溫臺(tái)相對(duì)室溫不高于3℃
常溫臺(tái)溫控范圍	25~50℃，精度±1℃
設(shè)備尺寸	含信號(hào)燈及顯示器，1250mm×1070mm×1900mm(L×W×H)
氣源要求	正壓：不低于0.4MPa 負(fù)壓：如有，不高于-80KPa