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更新時(shí)間：2025-03-17 08:44:59瀏覽次數(shù)：102次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 儀表網(wǎng)USPM-RUIII反射儀可精確測(cè)量當(dāng)前分光儀無(wú)法測(cè)量的微小、超薄樣本的光譜反射率，不會(huì)與樣本背面的反射光產(chǎn)生干涉
USPM-RU III反射儀可精確測(cè)量當(dāng)前分光儀無(wú)法測(cè)量的微小、超薄樣本的光譜反射率，不會(huì)與樣本背面的反射光產(chǎn)生干涉。 是測(cè)量曲面反射率、鍍膜評(píng)價(jià)、微小部品的反射率測(cè)定系統(tǒng)。
消除背面反射光
采用特殊光學(xué)系統(tǒng)，消除背面反射光。
不必進(jìn)行背面的防反射處理，可正確測(cè)定表面的反射率。
可測(cè)定微小區(qū)域的反射率
用物鏡對(duì)焦于樣本表面的微小光斑（?60 μm），可以測(cè)定鏡片曲面及鍍膜層是否均勻。
測(cè)定時(shí)間短
由于使用了Flat Field Grating（平面光柵）和線傳感器的高速分光測(cè)光機(jī)構(gòu)，可以進(jìn)行快速、再現(xiàn)性很高的測(cè)定。
支持XY色度圖、L*a*b*測(cè)定
可以依據(jù)分光測(cè)色法，通過(guò)分光反射率測(cè)定物體顏色。
可以測(cè)定高強(qiáng)度鍍膜的膜厚
采用干涉光分光法，可以在不接觸、無(wú)損的情況下測(cè)定被檢物的膜厚（單層膜）。
| 測(cè)定波長(zhǎng) | 380 nm～780 nm |
|---|---|
| 測(cè)定方法 | 與參照樣本的比較測(cè)定 |
| 被檢物N.A. | 0.12（使用10×物鏡時(shí)） 0.24（使用20×物鏡時(shí)） * 與物鏡的N.A.不同。 |
| 被檢物W.D. | 10.1 mm（使用10×物鏡時(shí)） 3.1 mm（使用20×物鏡時(shí)） |
| 被檢物的曲率半徑 | -1R ～-∞、+1R～∞ |
| 被檢物的測(cè)定范圍 | 約?60 μm（使用10×物鏡時(shí)） 約?30 μm（使用20×物鏡時(shí)） |
| 測(cè)定再現(xiàn)性（2σ） | ±0.1%（380 nm～410 nm測(cè)定時(shí)） ±0.01%（410 nm～700 nm測(cè)定時(shí)） |
| 顯示分辨率 | 1 nm |
| 測(cè)定時(shí)間 | 數(shù)秒～十幾秒（因取樣時(shí)間而異） |
| 光源規(guī)格 | 鹵素?zé)簟?2 V 100 W |
| 載物臺(tái)Z方向驅(qū)動(dòng)范圍 | 85mm |
| PC接口 | USB方式 |
| 裝置重量 | 機(jī)身：約20 kg（PC、打印機(jī)除外） 光源用電源：約3 kg 控制器盒：約8 kg |
| 裝置尺寸 | 機(jī)身： 300（W）×550（D）×570（H） mm 光源用電源： 150（W）×250（D）×140（H） mm 控制器盒： 220（W）×250（D）×140（H） mm |
| 電源規(guī)格 | 光源用電源： 100 V（2.8 A）/220 V AC 控制器盒： 100V（0.2A）/220V AC |
| 使用環(huán)境 | 水平且無(wú)振動(dòng)的地方 溫度： 23±5 °C 濕度： 60%以下、無(wú)結(jié)露 |
* 本裝置不保證溯源體系中的精度。
* 可以特別訂做測(cè)定波長(zhǎng)440 nm～840 nm規(guī)格。
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