丁女士
經(jīng)理
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α能譜學(xué)中見的應(yīng)用領(lǐng)域是放射化學(xué)、保健物理和環(huán)境樣品的篩查。這些應(yīng)用的硅輻射探測(cè)器是耗盡深度≥100微米的ULTRA輻射探測(cè)器和具有超低背景的ULTRA-AS輻射探測(cè)器。
此外，許多設(shè)施繼續(xù)使用具有低背景又不透光的加固（R系列）面壘型輻射探測(cè)器。“SEE-NO-ALPHA”選件可提供保證的分辨率規(guī)格，并且未暴露于α源可防止反散射污染。
*所有分辨率測(cè)量均在21±1°C下執(zhí)行和保證。
**用5.486-MeV天然α粒子測(cè)量。
† ULTRA系列探測(cè)器采用離子注入二氧化硅鈍化技術(shù)制造。可為特殊訂單提供允許在200°C下烘烤的版本。
| ULTRA† | ULTRA AS† | |
| 主要應(yīng)用 | 高分辨率、高效率的α和β能譜測(cè)量 | 超低本底的高效α能譜測(cè)量 |
| 主要特點(diǎn)/優(yōu)點(diǎn) |
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| 起始材料 | Si | Si |
| 有效面積范圍 (mm2) | 25-3000 | 300–1200 |
| 有效厚度范圍 (µm) | 100-500 | 100 |
| 保證工作溫度范圍* | +50°C 至 | +50°C 至 |
| 二極管結(jié)構(gòu) | 注入硼 - N型Si作為部分耗盡注入 | 注入硼 - N型Si作為部分耗盡注入 |
| 名義當(dāng)量 ** 窗口的截止能量 | 入射 | 入射 |
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