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IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀SiC|IGBT測(cè)試
功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
---|---|---|---|
輸入電源 | 220V 50/60Hz | 測(cè)試范圍 | 30μV-1200V;1pA-100A |
接口 | USB,LAN |
SPA6100型IGBT單管參數(shù)分析儀iv+cv一鍵測(cè)優(yōu)勢(shì)
1模塊化配置:可靈活配置多種測(cè)量單元,預(yù)留升級(jí)空間,方便后期升級(jí)
2圖形化界面:內(nèi)置常用器件模板,可直接調(diào)用,并且支持輸出三種模式測(cè)試報(bào)告
3自動(dòng)化測(cè)試:內(nèi)嵌低漏電矩陣開(kāi)關(guān),可自動(dòng)切換測(cè)試電路,實(shí)現(xiàn)一鍵測(cè)試功能
4夾具可定制:支持二極管、三極管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件
5多設(shè)備聯(lián)動(dòng):可與探針臺(tái)、溫控模塊等搭配使用,溫控范圍:室溫~250℃
應(yīng)用場(chǎng)景及測(cè)試參數(shù)
1納米材料:電阻率、載流子遷移率、載流子濃度、霍爾電壓
2柔性材料:拉伸/扭轉(zhuǎn)/彎折、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈敏度
3IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線
4分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉(zhuǎn)移/CV曲線等
5光電探測(cè)器:暗電流ID、結(jié)電容Ct、反向擊穿電壓VBR、響應(yīng)度R
6鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh
7LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線
8傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測(cè)試
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