半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；  
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導(dǎo)通電阻、納安級漏電流測試；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；

系統(tǒng)參數(shù)

測試項目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內(nèi)阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導(dǎo)g_fs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。