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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第3年

18140663476

當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)>>功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)>> PMDT2010功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

參   考   價(jià): 1000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)PMDT2010

品       牌普賽斯儀表

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

更新時(shí)間:2025-05-23 09:55:10瀏覽次數(shù):191次

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產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 加工定制
武漢普賽斯儀表PMDT系列功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備2000V/2000A雙脈沖測(cè)試范圍,最大12kA短路電流、<20nH超低主回路雜感、<2us過(guò)流保護(hù)時(shí)間
功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備概述

PMDT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款專(zhuān)用于MOSFET、IGBT、SiC  MOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開(kāi)關(guān)延時(shí)和損耗,評(píng)估器件的安全工作區(qū),對(duì)器件和驅(qū)動(dòng)電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證,測(cè)量功率組件的雜散電感。設(shè)備既可以用于功率器件選型評(píng)估,又可以用于驅(qū)動(dòng)電路和功率母排的優(yōu)化設(shè)計(jì),能夠幫助用戶(hù)開(kāi)發(fā)性能更優(yōu)化、工作更可靠的電力電子功率平臺(tái)。

功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓達(dá)2000V(最大擴(kuò)展至8kV)
大電流達(dá)2000A(可擴(kuò)展至6000A)
低寄生電感設(shè)計(jì):<20nH寄生電感
安全防護(hù)機(jī)制:集成防爆、過(guò)流/過(guò)壓保護(hù)
全功能測(cè)試覆蓋:支持DPT、RBSOA、   SCSOA、Qg等參數(shù)
自動(dòng)化與智能化,負(fù)載電感自動(dòng)切換
溫度范圍廣:可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)
兼容多種封裝,可根據(jù)測(cè)試需求定制夾具

2000V/2000A雙脈沖測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)
開(kāi)通特性:開(kāi)通延時(shí)時(shí)間td(on)、開(kāi)通上升時(shí)間tr、開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通能量損耗E(on)、開(kāi)通電壓斜率dv/dt、開(kāi)通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
關(guān)斷特性:關(guān)斷延時(shí)時(shí)間td(off)、關(guān)斷上升時(shí)間tf、關(guān)斷時(shí)間toff、關(guān)斷能量損耗E(off)、關(guān)斷電壓斜率dv/dt、  關(guān)斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
反向恢復(fù)特性:反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err、最大反向恢復(fù)電流Irrm、反向恢復(fù)電壓斜率dv/dt、反向恢復(fù)電流斜率di/dt、反向恢復(fù)電流特性Id  vs.t
短路特性:短路時(shí)間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc  
柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線(xiàn)Vgs  vs.t
反偏安全工作區(qū):關(guān)斷電壓尖峰VCE—peak、關(guān)斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的功率半導(dǎo)體,如IGBT、SiC、MOS等產(chǎn)品,普賽斯提供整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試

功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備


功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備組成

PMDT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要由雙脈沖信號(hào)發(fā)生器,高分辨率示波器,高壓電流探頭,高壓電源、母線(xiàn)電容、低雜感母排、自動(dòng)化測(cè)試軟件以及配套測(cè)試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測(cè)試驅(qū)動(dòng)板,可覆蓋開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試、柵極電荷測(cè)試、短路測(cè)試、雪崩測(cè)試等,單次測(cè)試即可完成開(kāi)關(guān)特性及反向恢復(fù)特性測(cè)試;具備數(shù)據(jù)管理功能,可實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果及波形曲線(xiàn),自動(dòng)生成測(cè)試報(bào)告



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