此設(shè)備為利用電子束轟擊間接加熱法的蒸鍍?cè)础?/p>
與舊型號(hào)(BS-60310)相比增加了電子束掃描功能,并通過(guò)掃描功能實(shí)現(xiàn)了高速率,厚膜蒸鍍,適配大型裝置等特點(diǎn)。
?坩堝容量加大
?高速率。與舊型號(hào)相比Al蒸鍍提升10倍,Ge蒸鍍提升40倍。
?適配大型設(shè)備。T-S距離1.1m的情況下仍然可以得到足夠的速率。
?可厚膜蒸鍍??蓱?yīng)對(duì)紅外線的相關(guān)用途。
?速率穩(wěn)定化。舊型號(hào)較難控制的升華性材料的蒸鍍速率也能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定蒸鍍。
?低損傷,低缺陷,低吸收等,舊型號(hào)的特點(diǎn)也一并繼承。
電子束轟擊方式的加熱原理(示意圖)
電子束照射范圍擴(kuò)大·坩堝大容量化
通過(guò)增加電子束掃描功能使得電子束的照射范圍相比舊型號(hào)得到了顯著的提高,并使得坩堝大容量化成為可能。
厚膜兼容
坩堝大容量化使得蒸鍍材料的填充量也得到增加,繼而使得每個(gè)坩堝可實(shí)現(xiàn)的蒸鍍膜厚也得到增加。紅外線用途的使用也成為可能。
與舊型號(hào)相比蒸鍍比較困難的氟化鑭等升華性材料的利用率也得到了提高。
高速率化·適配大型設(shè)備
由于電子束照射范圍擴(kuò)大時(shí),電子束的電流密度會(huì)隨之降低,所以可以實(shí)現(xiàn)增大輸出而不損壞坩堝;而且電子束照射范圍擴(kuò)大也增大了蒸發(fā)面積。通過(guò)增大輸出和擴(kuò)大蒸發(fā)面積從而實(shí)現(xiàn)了蒸鍍的高速率化。
T-S距離1.1m的情況下,Al可以實(shí)現(xiàn)4 nm/s,Ge可以實(shí)現(xiàn)1 nm/s的蒸鍍速率,可以適配大型設(shè)備。
Ge蒸鍍實(shí)例
用于紅外線透光膜的鍺也可以實(shí)現(xiàn)高速率蒸鍍(舊型號(hào)的40倍),提高生產(chǎn)效率;并且坩堝也為了防止飛濺的產(chǎn)生而進(jìn)行了特殊的設(shè)計(jì),使得蒸鍍穩(wěn)定和光學(xué)吸收減少鍍膜成為可能。
在蒸鍍Ge時(shí),與EB蒸鍍相比,可以實(shí)現(xiàn)飛濺更少,表面粗糙度數(shù)值更小的鍍膜
MgF2蒸鍍實(shí)例
以下為BS-60610和EB在相同條件下進(jìn)行蒸鍍時(shí),穿透率和反射率的和的比較數(shù)據(jù)
BS-60610BDS的特點(diǎn)是可以完成在300 nm附近光學(xué)吸收少的薄膜鍍膜。
MgF2單層膜膜厚分布的數(shù)據(jù)
Al蒸鍍實(shí)例
BS-60610BDS和EB的,Al膜的反射率特性的3種比較數(shù)據(jù)。
BS-60610BDS的光譜特性再現(xiàn)性高(變化小),并且可以實(shí)現(xiàn)高反射率。
以下為Al膜表面粗糙度的計(jì)算值。與EB蒸鍍比較表面的平滑度得到改善
可應(yīng)對(duì)多種材料的蒸鍍
以下為可蒸鍍材料的一覽。需要選配適合蒸鍍材料的坩堝
規(guī)格/配件
標(biāo)準(zhǔn)配置
可選配件
可用電子槍電源
※JST-F系列電源無(wú)法使用
※BS-60610BDS的加速電壓為-6kV專用
※為了保證坩堝溫度能均衡上升,推薦使用ACR模式