產(chǎn)品簡介
化成箔是生產(chǎn)鋁電解電容器的關(guān)鍵原材料。隨著電子工業(yè)飛速發(fā)展，鋁電解容器的使用更加廣泛，小型化、長壽命、高可靠的要求日益迫切，而化成箔加工技術(shù)成為鋁電解電容器制造的三大核心技術(shù)之一。高比容鋁箔屬國家鼓勵(lì)和支持的新型電子功能材料，是制造鋁電解電容器的關(guān)鍵原材料，屬于中間產(chǎn)品，融合了機(jī)械、電子、化工、金屬材料等多學(xué)科技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)。腐蝕賦能鋁箔的比容是制約大容量鋁電解電容器體積的關(guān)鍵所在，高比容、高強(qiáng)度是電容器用化成鋁箔今后發(fā)展的技術(shù)趨勢。
化成箔的完整產(chǎn)業(yè)鏈為：精鋁（高純度鋁錠）--電子鋁箔（光箔）--腐蝕箔――化成箔--鋁電解電容器--電子整機(jī)?；刹钠焚|(zhì)關(guān)系著電容器的使用壽命，間接的影響電子整機(jī)的使用壽命。因此，化成箔的品質(zhì)對整個(gè)電子工業(yè)的發(fā)展都具有深刻的意義。
腐蝕箔的工藝流程為：電子鋁箔（光箔）--退火--前處理--電化學(xué)腐蝕--化學(xué)腐蝕--水洗--烘干--腐蝕箔?；刹墓に嚵鞒虨椋焊g箔--前處理--級化成--第二級化成--第三級化成--高溫處理--精加工--烘干--化成箔。電子鋁材料加工主要為化學(xué)加工，技術(shù)壁壘和毛利率都較高。尤其是高純鋁和化成箔，前者的高純度要求和后者精細(xì)的電學(xué)性能要求使這兩種產(chǎn)品的進(jìn)入壁壘較高。
化成箔按照其電壓大小可分為低壓化成箔（化成電壓一般在幾十伏到180V）；中壓化成箔（化成電壓一般在200V伏到500V）;高壓化成箔（化成電壓一般在500V到1000V）。
在化成工藝中都會(huì)用到大功率直流電源，即電容器鋁箔專用大功率化成電源。以前各家化成企業(yè)主要采用可控硅整流器，該類型的整流器采用了五芯柱變壓器、高壓大功率晶閘管等技術(shù)，并且有恒壓、恒流和恒電流密度等特性。但是由于使用工頻變壓器和工作在低頻段，所以整流器體積大、重量重、效率低，性能的進(jìn)一步提高也受到電體積的限制。20世紀(jì)80年代以后，國內(nèi)外相繼研制出第四代直流電源--高頻開關(guān)電源。變流裝置中的普通晶閘管逐漸被新型器件如電力晶體管(GTR)、場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等取代。以MOSFET和IGBT為功率器件的整流器工作頻率提高至20～50KHZ所以該類整流器又稱為高頻開關(guān)電源。其工作過程是將整流后的直流電源，逆變成高頻交流電源，再經(jīng)整流后獲得直流電源。由于采用的是高頻率開關(guān)工作模式，所以變壓器的體積和器件的功耗大大降低，功率因數(shù)和運(yùn)行效率大大提高，是目前整流電源的發(fā)展方向。隨著IGBT器件功率增加、耐壓提高和應(yīng)用技術(shù)的日益成熟，IGBT必將在大多領(lǐng)域中取代晶閘管（SCR），以達(dá)到高效、節(jié)能目的。
技術(shù)參數(shù)
| 品名 | 電子鋁箔專用化成電源 | |
| 型號 | SPWM系列 | |
| 輸入 | 相數(shù) | 三相 |
| 電壓 | 380V±15% | |
| 頻率 | 50Hz | |
| 輸入方式 | 4線（含地線） | |
| 輸出 | 波形 | 直線 |
| 功率 | 5KW-1000KW | |
| 電壓 | 0-1000V | |
| 穩(wěn)定度 | ≤1% | |
| 電流 | 0—3000A | |
| 穩(wěn)定度 | ≤1% | |
| 紋波及雜訊 | ≤5%或≤3% | |
| 效率 | ≥90% | |
| 控制 | 功率 | 可選擇 |
| 電壓 | 恒壓控制，可本地控制也可通過0-10V或4-20mA | |
| 電流 | 可選擇 | |
| 保護(hù) | 具備缺相、過熱、限壓、恒功率、過壓、過流、短路、超載等保護(hù)功能 | |
| 冷卻 | 風(fēng)冷內(nèi)循環(huán)水冷外循環(huán)水冷油浸水冷 | |
| 外型 | 外殼 | |
| 尺寸(W*D*H) | 482.6mm*600mm*266.7mm（30KW） | |
| 重量 | 30KG（30KW） | |
| 備注 | 體積小，重量輕，效率高，節(jié)能。功率因子高，對電網(wǎng)污染小。輸出紋波小。輸出電壓，電流獨(dú)立可調(diào)，恒壓，恒流自動(dòng)轉(zhuǎn)換。保護(hù)功能齊全，有限流，限壓，過流，過壓，過熱，缺相保護(hù)。 | |
與其它可控硅電源的比較
| 電源類型 | 三相橋式整流 | 六相雙反星形整流 | 高頻開關(guān)直流電源 |
| 體積 | 一般 | 較大 | 較小 |
| 功率因數(shù) | 隨導(dǎo)通角變化 | 隨導(dǎo)通角變化 | 始終≥0.92 |
| 0.5-0.9 | 0.5-0.9 | ||
| 電源效率 | 0.86左右 | 0.88左右 | ≥0.92 |
| 諧波含量 | 較大（導(dǎo)通角小時(shí)較大） | 一般（導(dǎo)通角小時(shí)較大） | 較小（功率大小基本不變） |
| 節(jié)能效果 | 無 | 一般 | 較好 |
| 噪音 | 一般 | 較大 | 無 |
| 成本 | 一般 | 比較高 | 比較高 |
大功率穩(wěn)壓穩(wěn)流高頻開關(guān)電源節(jié)能效果比較表
腐蝕用開關(guān)電源和可控硅電源性能比較表
| 日意品牌開關(guān)電源 | 廣州某研究所可控硅電源 | |
| 電源規(guī)格 | 6V/6000A | 6V/6000A |
| 工作原理 | 開關(guān) | 可控硅 |
| 輸出電壓 | 0-6V | 0-6V |
| 輸出電流 | 0-6000A | 0-6000A |
| 實(shí)際工作電壓 | 2.78V | 3.02V |
| 實(shí)際工作電流 | 4200A | 4200A |
| 實(shí)際輸入電壓 | 381V | 381V |
| 實(shí)際輸入電流 | 23A | 58A |
| 電源效應(yīng) | 小于1% | 小于1% |
| 負(fù)載效應(yīng) | 小于1% | 小于1% |
| 電流紋波 | 小于3% | 小于5% |
| 保護(hù) | 過流過壓過溫短路缺相保護(hù) | 過流過壓過溫 |
| 尺寸W*H*D | 500*1500*500 | 1000*2100*800 |
| 重量 | 約250KG | 約500KG |
| 價(jià)格 | 便宜 | 較貴 |
| 整機(jī)效率 | 80% | 30%-70% |
| 日意品牌開關(guān)電源 | 廣州某研究所可控硅電源 | |
| 電源規(guī)格 | 15V/3500A | 15V/3500A |
| 工作原理 | 開關(guān) | 可控硅 |
| 輸出電壓 | 0-15V | 0-15V |
| 輸出電流 | 0-3500A | 0-3500A |
| 實(shí)際工作電壓 | 5.9V | 5.9V |
| 實(shí)際工作電流 | 2400A | 2400A |
| 實(shí)際輸入電壓 | 381V | 381V |
| 實(shí)際輸入電流 | 28A | 70A |
| 電源效應(yīng) | 小于1% | 小于1% |
| 負(fù)載效應(yīng) | 小于1% | 小于1% |
| 電流紋波 | 小于3% | 小于5% |
| 保護(hù) | 過流過壓過溫短路缺相保護(hù) | 過流過壓過溫 |
| 尺寸W*H*D | 500*1500*500 | 1000*2100*800 |
| 重量 | 約300KG | 約700KG |
| 價(jià)格 | 便宜 | 較貴 |
| 整機(jī)效率 | 80% | 30%-70% |
2．由于可控硅電源內(nèi)部有變壓器和電抗器，變壓器和電抗器本身都比較消耗能量。這個(gè)也是可控硅電源整機(jī)效率比較低的原因。
3．由于可控硅電源要求輸入的電流很大，這就要求整廠的配電房變壓器容量要求也相應(yīng)增加，同時(shí)從配電房到電源設(shè)備之間的輸電電纜和設(shè)備要求也相應(yīng)增加。在此基礎(chǔ)上，配電房和配電房到電源設(shè)備之間的電纜和設(shè)備上以熱能形式浪費(fèi)掉的電能也相應(yīng)增加。
4．由于高頻開關(guān)電源的高功率因數(shù)，可以為廠家減少因治理諧波產(chǎn)生的不必要費(fèi)用。
5．由于高頻開關(guān)電源的體積小，重量輕特點(diǎn)，可以為廠家節(jié)約土地使用率，機(jī)器易搬運(yùn)。
6．以上表格里的數(shù)據(jù)是由廠商提供，可以保證其真實(shí)性。
