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電容式液位計具有*的抗干擾性和可靠性。能夠測量強腐蝕性的液體，如酸、堿、鹽、污水等?？蓽y量高溫、高壓介質(zhì)；過程溫度-40～600℃；過程壓力-0.1～4.0MP...

超聲波液位計在測量中超聲波脈沖由傳感器（換能器）發(fā)出，聲波經(jīng)液體表面反射后被同一傳感器接收或超聲波接收器，通過壓電晶體或磁致伸縮器件轉(zhuǎn)換成電信號，并由聲波的發(fā)射...

導(dǎo)波雷達液位計是依據(jù)時域反射原理（TDR）為基礎(chǔ)的雷達液位計，雷達液位計的電磁脈沖以光速沿鋼纜或探棒傳播，當(dāng)遇到被測介質(zhì)表面時，雷達液位計的部分脈沖被反射形成回...

高精度差壓變送器用來把差壓，流量，液位等被測參數(shù)轉(zhuǎn)換成為統(tǒng)一的信號標(biāo)準，并將此統(tǒng)一信號傳送給記錄、指示儀表或者調(diào)節(jié)器，讓被測參數(shù)顯示在屏幕上。

靜壓液位計是基于所測液體靜壓與該液體的高度成比例的原理，采用*進的隔離型擴散硅敏感元件或陶瓷電容壓力敏感傳感器，將靜壓轉(zhuǎn)換為電信號，再經(jīng)過溫度補償和線性修正，轉(zhuǎn)...

高精度智能單晶硅差壓變送器主要用于測量液體、氣體或蒸汽的差壓、壓力、液位和密度，然后將其轉(zhuǎn)換成4～20mA.DC信號輸出。

LED顯示防爆壓力變送器選用高穩(wěn)定性和高可靠性的壓阻式壓力傳感器和高性能的變送器電路，整體性能穩(wěn)定可靠。廣泛適用于石油、化工、電力、水文、地質(zhì)等行業(yè)的流體壓力的...

高穩(wěn)型單晶硅壓力變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復(fù)合硅、擴散硅材料，芯片采用德國的單晶硅雙梁懸浮式技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方...

一體式電磁流量計是高精度、性價比高和使用周期長的流量儀表，因此在設(shè)計方案產(chǎn)品品種、選料、制訂加工工藝、生產(chǎn)制造裝配線和原廠檢測等全過程中每1個階段我們十分細膩說...

TY-LDG系列產(chǎn)品分體式電磁流量計精確測量基本原理是法拉第電磁感應(yīng)定律，控制器關(guān)鍵構(gòu)成是：精確測量管、電級、勵磁調(diào)節(jié)器電磁線圈、變壓器鐵芯與磁軛罩殼。電磁流量...

新型智能微差壓變送器具有設(shè)計原理*、品種規(guī)格齊全、安裝使用簡便等特點。由于該機型外觀上*融合了目前國內(nèi)較為流行，并被廣泛使用的兩種變送器（羅斯蒙特3051與橫河...

電容式壓力變送器具有設(shè)計原理*、品種規(guī)格齊全、安裝使用簡便等特點。由于該機型外觀上*融合了目前國內(nèi)較為流行以及被廣泛使用的兩種變送器（羅斯蒙特3051與橫河EJ...

智能型壓力差壓變送器就是在普通壓力或差壓變送器的基礎(chǔ)上，增加微處理器電路而組成的智能檢測儀表。比如，用帶有溫度補償?shù)碾娙葑兯推髋c微處理器相結(jié)合，構(gòu)成精度為0.1...

衛(wèi)生平膜型壓力變送器結(jié)構(gòu)緊湊、耐腐蝕，抗震動、抗微粒沖擊、寬范圍溫度補償。全部采用316L不銹鋼材料，特別適用于醫(yī)療、食品行業(yè)有衛(wèi)生要求的，粘稠流體壓力和液位測...

隔膜密封式壓力變送器的密封隔膜是用于防止管道中的介質(zhì)直接進入差壓變送器里的壓力傳感器組件中，它與變送器之間是靠注滿流體的毛細管連接起來的。用來測量液體、氣體和蒸...

不銹鋼精小型壓力變送器選用公司高精度、高穩(wěn)定性壓力傳感器組件，經(jīng)過高可靠性的放大電路及精密溫度補償，將被測介質(zhì)的表壓轉(zhuǎn)換成4~20mA，0~5VDC，0~10V...

智能數(shù)字顯示壓力變送器是把帶隔離的硅壓阻式壓力敏感元件封裝于不銹鋼殼體內(nèi)制作而成。它能將感受到的液體或氣體壓力轉(zhuǎn)換成標(biāo)準的電信號對外輸出，廣泛應(yīng)用于供/排水、熱...

小型高溫型壓力變送器選用公司高精度、高穩(wěn)定性壓力傳感器組件，經(jīng)過高可靠性的放大電路及精密溫度補償，將被測介質(zhì)的壓或表壓轉(zhuǎn)換成4~20mA，0~5VDC，0~10...

2088智能擴散硅壓力變送器選用進口高品質(zhì)擴散硅式、陶瓷式壓力傳感器作為敏感元件，采用集成模塊，精細的溫度、零點、滿程和非線性補償，實現(xiàn)對液體、氣體、蒸氣等介質(zhì)...

本安防爆壓力變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時，本身的電阻率要發(fā)生變化，提高半導(dǎo)體平面工藝在硅片上擴散形成四個...