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閱讀：858發(fā)布時(shí)間：2011-9-27
固態(tài)繼電器的動(dòng)態(tài)功耗和設(shè)計(jì)考量
1.0 介紹
對(duì)于低電壓信號(hào)或低功率切換應(yīng)用，具備MOSFET輸出的光學(xué)隔離固態(tài)繼電器（SSR, Solid State Relay）可以比傳統(tǒng)機(jī)電式繼電器（EMR, Electro-Mechanical Relay）帶來幾個(gè)重要優(yōu)勢(shì)，工程師在使用這類繼電器時(shí)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是如何決定并找出繼電器封裝內(nèi)可以承受的zui大動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功率，工作頻率基本上會(huì)對(duì)整體功耗帶來zui高限制，因此非常重要的一點(diǎn)是，必須計(jì)算動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗以保證不會(huì)超出固態(tài)繼電器規(guī)格所允許的zui大功率，zui后我們也會(huì)提供固態(tài)繼電器可以在終端應(yīng)用取得優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用范例。
2.0 固態(tài)繼電器的動(dòng)態(tài)功耗計(jì)算
在切換周期時(shí)間Tsw內(nèi)，即使假設(shè)某一瞬間漏極到源極電壓v（t）和漏極電流i（t）為線性，這個(gè)線性轉(zhuǎn)換變化依舊為趨近值，不過已經(jīng)可以滿足實(shí)際的應(yīng)用。
切換周期內(nèi)某一瞬間的功耗可以由下列方程式表示：
p（t）sw = v（t） ● i（t） -------------------- 方程式 （1）
如果采用線性趨近，由上圖可以看出，v（t）和i（t）可以假設(shè)為時(shí)間的線性函數(shù)，因此：
p（t）sw = [ Vd （Tsw – t） / Tsw ] ● [ （Id ） （t） / Tsw ] ------------- 方程式 （2）
在以上方程式中，我們假設(shè)切換周期開始時(shí)t=0，以上的圖形顯示，在頻率f處的切換時(shí)間長(zhǎng)度為Tp。
簡(jiǎn)化方程式（2），我們可以得到：
p（t）sw = [{ （Vd） （Id） （Tsw-t） （t） }/ Tsw2 ] --------------------- 方程式 （3）
就可以計(jì)算出切換時(shí)間周期Tsw內(nèi)的平均功耗：
t=Tsw
P（Tsw） = （1/ Tsw ） t="0" ∫ v（t） ● i（t） dt --------- 方程式 （4）
整合方程式（3）和方程式（4）：
t = Tsw
P（Tsw） = （Vd） （Id） / Tsw3 ● t="0" ∫ （ Tsw-t） t dt
對(duì)以上的積分進(jìn)行求解可以得到切換周期Tsw內(nèi)的平均功耗：
P（Tsw） = [ （Vd ） （Id） / 6 ] ------------------------ 方程式 （5）
現(xiàn)在我們可以計(jì)算出時(shí)間周期Tp內(nèi)的整體平均功耗，請(qǐng)注意，Tsw（1）為固態(tài)繼電器輸出電壓的下降轉(zhuǎn)換時(shí)間t（f），而Tsw（2）則是固態(tài)繼電器輸出電壓的上升轉(zhuǎn)換時(shí)間t（r）：
P （Total Average over Tp） = [ （Vd） （Id） / 6] Tsw（1） / Tp + [ （Vd） （Id） /6 ] Tsw（2） / Tp + [ （Ron） （Id） 2] t（On-state）] / Tp + [ （Vd） （Ioff） t（off-state） ] / Tp --------- 方程式 （6）
由于f=1/Tp，因此以上方程式可以由頻率表示，并將Tsw（1）以固態(tài)繼電器輸出下降轉(zhuǎn)換時(shí)間t（f）取代，而Tsw（2）則以固態(tài)繼電器輸出上升轉(zhuǎn)換時(shí)間t（r）取代：
P（Total Average over Tp） = [ （Vd） （Id） / 6] t（f） （f） + [ （Vd） （Id） /6] t（r） （f） + [（Ron） （Id） 2 t（on-state） （f） + [ （Vd） （Ioff） t（off-state） （f） -------- 方程式 （7）
請(qǐng)注意，以上方程式（6）顯示，如果Tsw相對(duì)于時(shí)間周期Tp較小時(shí)，切換時(shí)間內(nèi)的功耗相對(duì)也較小，我們會(huì)在以下的例子中進(jìn)行討論，以上的方程式（7）也顯示出隨著頻率的增加，切換周期時(shí)間Tsw中的功耗部分也會(huì)增加，并帶來工作頻率的限制。
輸入功耗：
時(shí)間周期TP內(nèi)的平均功耗為：
P（input） = [（Vf ● If ） t（on state）] / Tp -------- 方程式 （8）
或以頻率表示：
P（input） = [（Vf ● If ） t（on state] （ f ） -------- 方程式 （9）
3.0 計(jì)算功耗的實(shí)際示例
ASSR-1510固態(tài)繼電器被用來控制Vd為60V時(shí)1A負(fù)載的切換，開關(guān)頻率為100Hz，占空比為50%，SSR的輸入驅(qū)動(dòng)電流為5mA。
?。╝） 計(jì)算輸出功耗、輸入功耗和整體封裝功耗。
由ASSR-1510產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中我們可以得到：
由方程式（7）：
P（Total Average over Tp） = [ （Vd） （Id） / 6] t（f） （f） + [ （Vd） （Id） /6] t（r） （f） + [（Ron） （Id）2 t（on-state） （f） + [ （Vd） （Ioff） t（off-state） （f）-------- 方程式 （7）
分別計(jì)算以上各部分功耗：
?。╝） [（Vd） （Id） /6] t（f） （f） = [60V x 1A]/6 x 200 usec x 100 Hz = 200 mW
?。╞） [（Vd）（Id） / 6] t （r） （f） = [60 V x 1A]/6 x 2 usec x 100 Hz = 2 mW
（c） [R（ON） （Id） 2] t（on-state） （f） = 0.5? x （1A）2 x 5 msec x 100 Hz = 250 mW
?。╠） [（Vd） （Ioff） ] t（off-state） （f） = 60V x 1 uA x 5 msec x 100 Hz = 30 µW
加總以上數(shù)字，可以得到整體輸出功耗為452mW。
輸入功耗可以由方程式（9）計(jì)算得出：
P（input） = [（Vf ● If ） t（on state] （ f ） = 1.7 x 5 mA x 5 msec x 100 Hz = 4.25 mW
因此，切換周期中整體平均封裝功耗為：
4.25 mW + 452 mW = 456.25 mW
這個(gè)功耗大小低于ASSR-1510允許的zui大值540mW，因此在這個(gè)工作條件下并不需要降低功率。
4.0 FET驅(qū)動(dòng)電路和固態(tài)繼電器功能方塊圖
SSR中的FET驅(qū)動(dòng)電路通過光伏電源供電，由FET驅(qū)動(dòng)電路所接收的LED光流是提供FET驅(qū)動(dòng)電路推動(dòng)輸出MOSFET的*能量來源，光伏電壓由12個(gè)上下堆棧的光二極管產(chǎn)生，每個(gè)光二極管大約可以產(chǎn)生0.5V的電壓，因此產(chǎn)生的總電壓大小為0.5x12=6V（典型值）。
產(chǎn)生光電流的大小為用來對(duì)輸出MOSFET整體柵極電容充電的zui大電流值，這個(gè)光電流越大，柵極電壓充到光二極管堆棧光伏電壓的速度就越快，通常由堆棧電壓所產(chǎn)生的光電流在LED驅(qū)動(dòng)電流為10mA時(shí)大約在20uA的范圍。
在FET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中采用了快速關(guān)斷電路（Fast Turn-Off Circuit），這個(gè)電路的目的是當(dāng)LED電流下降到零關(guān)斷SSR時(shí)可以立即對(duì)柵極電容進(jìn)行放電，這個(gè)電路只有在光伏電壓下滑時(shí)短暫導(dǎo)通，接著快速關(guān)斷電路可以確保SSR的關(guān)斷時(shí)間要比SSR的導(dǎo)通時(shí)間短上許多。，F(xiàn)ET驅(qū)動(dòng)電路的功耗可以被忽略，因?yàn)樗a(chǎn)生的光電流在驅(qū)動(dòng)電流為10mA時(shí)大約只有20uA，產(chǎn)生的堆棧電壓大約為6V。
安華高科技（Avago Technologies）公司的FET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)同時(shí)也加入了輸出瞬變抑制電路（Transient Reject Circuit），可以確保數(shù)據(jù)表中的超高dVo/dt參數(shù)和處理能力，這個(gè)電路的工作原理是，當(dāng)SSR處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，SSR接點(diǎn)上出現(xiàn)的任何瞬間高電壓變化會(huì)通過電容耦合到瞬變抑制晶體管的基極并暫時(shí)導(dǎo)通，造成柵極放電以確保輸出MOSFET不會(huì)在SSR輸出接點(diǎn)收到這個(gè)瞬變高電壓脈沖時(shí)導(dǎo)通。
5.0 固態(tài)繼電器應(yīng)用范例
?。╝） 固態(tài)繼電器的典型應(yīng)用范圍
?。╞）太陽能陣列電池充電
* 隔離二極管可以避免SSR關(guān)斷時(shí)電池因寄生電阻或漏電流放電到太陽能陣列中。
?。╟）脈沖撥號(hào)
?。╠） 繼電器線圈驅(qū)動(dòng)
（e） 溫度控制器
?。╢） 多通道交流負(fù)載控制模塊
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