*的等離子微納加工工藝技術(shù)

地點(diǎn)：

廣州花園

日期：

2017年11月10日，下午2:00 – 6:00

參加部門：

等離子科技

等離子加工工藝技術(shù)是制造光電子器件的必要工具。從激光表面的干法刻蝕到高密度鈍化，了解等離子體如何影響器件是實(shí)現(xiàn)zui高質(zhì)量的關(guān)鍵。牛津儀器等離子技術(shù)處于等離子體處理的前沿，有著悠久的發(fā)展創(chuàng)新解決方案的歷史，使設(shè)備性能得以提升到下一個(gè)水平。本次研討會(huì)將詳述等離子刻蝕、原子層沉積（ALD）和等離子體介質(zhì)化學(xué)氣相沉積（CVD）的一些進(jìn)展。在這方面，用戶將詳細(xì)介紹他們的經(jīng)驗(yàn)，并展示他們?nèi)绾问褂梦覀兊墓ぞ邅斫桓对O(shè)備。

來自英國的專家和當(dāng)?shù)赜脩魧⒃谶@里分享他們的信息，報(bào)告題目包括：

• 用電感耦合式等離子體設(shè)備 (ICP) 進(jìn)行的III-V材料的刻蝕工藝研發(fā) | 張欣博士，華為海思半導(dǎo)體
  III-V ICP etch process development | Dr Xin Zhang Huawei Hisilicon
• III-V材料器件的等離子體干法刻蝕工藝綜述 | 鄧麗剛博士，牛津儀器等離子技術(shù)公司
  Plasma dry etch processes for III-V materials devices | Dr Ligang Deng, Oxford Instruments Plasma Technology
• ICP CVD低損傷高質(zhì)量的介電質(zhì)薄膜沉積技術(shù) | Young Huang，牛津儀器等離子技術(shù)公司
  Low damage deposition by ICP CVD | Dr Young Huang, Oxford Instruments Plasma Technology
• 用于光電器件制備的原子層沉積（ALD）技術(shù)| Dr Harm Knoops, 牛津儀器等離子技術(shù)公司
  Atomic layer deposition (ALD) for optoelectronic devices | Dr Harm Knoops, Oxford Instruments Plasma Technology
• 用于激光器芯片沉積的離子束鍍膜技術(shù) | Dr Dave Pearson, 牛津儀器等離子技術(shù)公司
  Ion beam laser bar coatings | Dr Dave Pearson, Oxford Instruments Plasma Technology
• 用于光子晶體材料與器件制作的高質(zhì)量等離子沉積和刻蝕工藝| 劉林，中山大學(xué)
  High quality plasma deposition & etching processes for photonic materials & devices | Mr Lin Liu, Sun Yat-Sen University