容器中存在兩種不同介質(zhì)，當上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時，高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質(zhì)時，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導(dǎo)波雷達是可以測量兩種不同介質(zhì)的介面，其測量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。

產(chǎn)品特點

由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術(shù)，導(dǎo)波雷達物位計可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況。

多種過程連接方式及探測組件的型式，使得ULS3X系列導(dǎo)波雷達物位計適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。

采用脈沖工作方式，導(dǎo)波雷達物位計發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi)，對人體及環(huán)境均無傷害。

技術(shù)參數(shù)

特　　征：　　　　同軸式導(dǎo)波天線，獲得更小的盲區(qū)、更強的回波信號。

應(yīng)　　用：　　　　能適應(yīng)小量程，多蒸汽，小介電常數(shù)介質(zhì)的測量。適應(yīng)過程條件復(fù)雜的環(huán)境。

zui大量程：　　　　6m

測量精度：　　　　±10mm

過程連接：　　　　G1½A/G2A

探測組件材料：　　不銹鋼316L /PTFE

同軸外徑：　　　　Φ28mm

過程溫度：　　　　-40…150°C

過程壓力：　　　　-1.0…40bar

信號輸出：　　　　兩線制 4…20mA/HART

選型標準

ULS33

許可證       

P  標準型（非防爆）

I  本安型（Exia IIC T6）

C  本安型+船用許可證（Exia IIC T6）

G  本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）

探測組件型式/材料

A  同軸式/不銹鋼316L

過程連接/材料

GP  螺紋  G1½A

KP  螺紋  G2A

NP  螺紋  1½NPT

YP  特殊制定    

密封/過程溫度

A   Viton 氟橡膠/（-30～150)℃

B   Kalrez全氟化橡膠/（-40～150）℃

電子組件

B   (4～20)mA/HART兩線制

C   (4～20)mA/(22.8～26.4)V DC /HART兩線/四線制

D   (198～242)V AC/HART四線制

外殼/防護等級（注）

A   鋁/IP67

B   塑料/IP66

D   鋁兩腔/IP67

G   不銹鋼316L/IP67

電纜進線

M   M20x1.5

N   ½NPT

現(xiàn)場顯示/編程

A   帶

X   不帶

纜（棒）長

4位數(shù)字（單位：mm）

注：本安型（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“A”型外殼；本安+船用許可證（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“G”型外殼；本安+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）只限用“C”“D”電子組件及“D”型外殼；標配法蘭大小參照GB/T9119-2000 PN1.6MPa尺寸，厚度為15。