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行業(yè)產(chǎn)品

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西安中昊芯測(cè)科技有限公司


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MOS管參數(shù)測(cè)試儀

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參   考   價(jià): 1

訂  貨  量: ≥1 件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)SC2015

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:黃輝查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2025-06-05 10:49:22瀏覽次數(shù):89次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:11條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:黃輝 (銷(xiāo)售)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 加工定制

MOS管參數(shù)測(cè)試儀SC2015主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT的批量測(cè)量,篩選,非常適合來(lái)料檢驗(yàn)使用。電子廠的功率器件來(lái)料檢驗(yàn)、器件廠的產(chǎn)品分選、電子產(chǎn)品研發(fā)的選型配對(duì)、電子產(chǎn)品維修檢驗(yàn)等。

詳細(xì)介紹

MOS管參數(shù)測(cè)試儀SC2015

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介/特點(diǎn)

MOS管參數(shù)測(cè)試儀SC2015主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT的批量測(cè)量,篩選,非常適合來(lái)料檢驗(yàn)使用。
1、采用高精度AD,滿足測(cè)量精度,而高速微處理器和電子開(kāi)關(guān),使測(cè)量工作迅速、高效、寧?kù)o。采用脈沖測(cè)量法,可以提供10A~75A以上的測(cè)試電流,而不會(huì)使被測(cè)管子發(fā)熱。有自動(dòng)均流功能,確保被測(cè)管安全。
2、有自檢功能、測(cè)量判斷功能以及故障報(bào)警指示功能,當(dāng)不是Vmos管時(shí)或錯(cuò)插等,測(cè)量不能繼續(xù)。在測(cè)量前后,測(cè)量插座柵源之間是短路狀態(tài),以確保被測(cè)量管插入或拔出管座時(shí)的安全。
3、有20A~150A容量選擇,即便是選錯(cuò)電流檔用電流測(cè)量小容量管子,也不會(huì)損害被測(cè)管。
4、您可以按需要設(shè)定分選參數(shù)范圍。可設(shè)定的有:開(kāi)啟電壓Ut、跨導(dǎo)Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對(duì)于超限的測(cè)量,蜂鳴器會(huì)報(bào)警,并且哪個(gè)參數(shù)超限,會(huì)閃爍提示,用戶可以不大理會(huì)符合標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)具體數(shù)據(jù),只在報(bào)警時(shí)注意閃爍的參數(shù),這樣極大的方便了工業(yè)批量測(cè)量。
5、使用簡(jiǎn)單,不需要專(zhuān)業(yè)知識(shí)。

6、規(guī)格尺寸240*350*130mm(寬*深*高),桌面小臺(tái)式結(jié)構(gòu),采用鋁合金冷拉型板為框架,支腳可調(diào)。

7、工作臺(tái)有TO220和3P插座,面板設(shè)有容量選擇,以及220/3P選擇,方便用戶使用。
二、性能指標(biāo):
1、測(cè)量VMOS管可同時(shí)顯示:
通態(tài)電阻Ron1~999mΩ (超過(guò)999 mΩ時(shí),自動(dòng)轉(zhuǎn)為9.99Ω擋)
 跨導(dǎo)Gfs0~99.9S

耐壓Bv:0~1999V
 開(kāi)啟電壓Ut0~12V
 極間電容Cir0.1~9.9 (np)

通態(tài)電流Id:0-129.9V
2、如果您需要,通過(guò)輔助功能鍵,還可以得到:
 a、Cir 1% nP精度;
 b、Ut 1%V 精度;
 c、測(cè)量Ron時(shí)的: Ids(max A),Vds(min V);
d、以及測(cè)量Ggs時(shí):Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
3、10位LED顯示。
4、設(shè)備供電160V~230V 正常工作。
三、測(cè)試參數(shù):

(1)二極管Diode

靜態(tài)參數(shù):BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降;

2三極管Transistor

靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VCESAT/飽和壓降

(2)場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET

靜態(tài)參數(shù):BVDSS/漏源極擊穿電壓,Ut/開(kāi)啟電壓,Ids/漏源極漏電流,Vf/二極管正向壓降;Ron/導(dǎo)通內(nèi)阻,Gfs/跨導(dǎo),Cir/極間電容

(3)晶體管IGBT

靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降

應(yīng)用領(lǐng)域:

電子廠的功率器件來(lái)料檢驗(yàn)、器件廠的產(chǎn)品分選、電子產(chǎn)品研發(fā)的選型配對(duì)、電子產(chǎn)品維修檢驗(yàn)等。


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