?IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002可以測試靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)，該測試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)。

詳細(xì)介紹

IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002

n測試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode

n測試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)

n標(biāo)準(zhǔn)《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

n該測試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)

IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002

IGBT測試

IGBT測試項(xiàng)目

測試條件

測試結(jié)果

柵極-發(fā)射極柵

極絕緣

Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA

截止電流

Vces: 100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3% ±10V

Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

閾值電壓

Ice： 1-10mA，分辨力， 1mA

（可根據(jù)客戶需求擴(kuò)展）

Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

飽和壓降

Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1A

Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管壓降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管反向電流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002

MOSFET測試

MOSFET測試項(xiàng)目	測試條件	測試結(jié)果
柵極-源極絕緣	Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V	Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA
漏極-源極截止電流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V	Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA
柵極-源極閾值電壓	Ids： 1-10mA，分辨力， 1mA	Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V
漏極-源極導(dǎo)通電阻	Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A	Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二極管壓降	If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A	Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V
二極管反向電流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V	Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA