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納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表返回列表頁

舉報評價

參考價: ￥ 1000

訂貨量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號S200B

品牌普賽斯儀表

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地武漢市

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更新時間：2024-08-15 09:18:27瀏覽次數(shù)：260次

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產(chǎn)品分類品牌分類

半導(dǎo)體器件測試儀器儀表: IGBT測試設(shè)備晶體管測試儀傳感器測試設(shè)備太陽能電池片測試設(shè)備半導(dǎo)體參數(shù)分析儀源表應(yīng)用電流源功率器件測試系統(tǒng) 數(shù)據(jù)采集卡高壓電源脈沖恒壓源脈沖電流源數(shù)字源表窄脈沖LIV測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體器件測試儀

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否
工作環(huán)境	25±10℃	測試范圍	±300mV～±300V/±100pA～±3A
測試精度	0.03%

傳統(tǒng)的二線制電阻測量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的精準度。材料測試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測試設(shè)備需要具備小電流的測量能力。武漢普賽斯數(shù)字源表具有測試精度高，微弱信號檢測能力強的特點，可夠根據(jù)用戶測試需求配置高效，高性價比的納米材料測試方案，可廣泛應(yīng)用在納米材料，傳感器，半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品的研發(fā)，生產(chǎn)領(lǐng)域；納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表認準普賽斯儀表咨詢

詳情介紹

納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表方案

通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構(gòu)建精細熱場自動調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構(gòu)建精細熱場自動調(diào)控及反饋測量系統(tǒng)，并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息。

納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表

測試面臨的挑戰(zhàn)：

傳統(tǒng)的二線制電阻測量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的晶準度。材料測試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測試設(shè)備需要具備小電流的測量能力。

納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表

普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準熱場控制及電性能測量:
標配四線制測量端口;
提供多個電流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA電流分辨率，源測精度高達0.03%。納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表認準普賽斯儀表咨詢

納米材料高溫原位表征及測試數(shù)字源表

武漢普賽斯是國內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過了市場的考驗，市場應(yīng)用率高；SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，直流更大、精度更高、準確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達30A，蕞大輸出電壓達300V，支持四象限工作，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案，歡迎隨時咨詢！