產(chǎn)品名稱：QL83O6S-A/B/C 830nm 100mW 半導體激光二極管
產(chǎn)品型號：QL83O6S-A/B/C
產(chǎn)品波長：830nm
工作電流：185mA
產(chǎn)品功率：100mW
產(chǎn)品封裝：TO-18 （5.6mmφ）
?OVERVIEW
QL83O6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 100mW for industrial optical module
and sensor applications.
?APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
?FEATURES
- Visible Light Output : λp = 830 nm
- Optical Power Output : 100mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmφ)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
?概述
QL83O6S-A/ B/ C是MOCVD生長830nm的頻帶的AlGaAs激光量子阱結(jié)構(gòu)二極管。
這是一個有吸引力的光源，具有100mW的的工業(yè)光模塊的典型光輸出功率
和傳感器應用。
?應用
- 傳感器
- 工業(yè)光模塊
?特點
- 可見光輸出：λP=830納米
- 光輸出功率：100mW的CW
- 封裝類型：TO-18（5.6mmφ）
- 內(nèi)置光電二極管監(jiān)測激光二極管
