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YB6600晶體管圖示儀 晶體管圖示儀

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  • 型號(hào)YB6600晶體管圖示儀
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2018-05-15
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)西安市
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量12
  • 人氣值306
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       西安誼邦電子科技有限公司為國(guó)家*、國(guó)家*產(chǎn)業(yè)園、西安市政府、*重點(diǎn)支持,致力于*半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、技術(shù)服務(wù)為一體的專(zhuān)業(yè)化*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。公司主要技術(shù)人員均來(lái)自各大航天航空及半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識(shí)和多年的測(cè)試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。*的設(shè)計(jì)方案,可靠的生產(chǎn)控制工藝及不斷創(chuàng)新的技術(shù)研發(fā)為公司產(chǎn)品持續(xù)發(fā)展提供了有利保障。

       公司研制生產(chǎn)的YB6000系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)為*水平。其*嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑O(shè)計(jì)方案使儀器性能超群,品質(zhì)更為可靠穩(wěn)定,雄厚的技術(shù)力量和多年的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測(cè)試、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試和各種客戶(hù)產(chǎn)品測(cè)試等領(lǐng)域。具有自主產(chǎn)權(quán)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)技術(shù)、功率大、速度快、精度高的技術(shù)和小電流測(cè)試技術(shù)已經(jīng)達(dá)到*水平。西安誼邦憑借較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力,,能夠給用戶(hù)提供完善的售前售后技術(shù)支持。科技創(chuàng)新、服務(wù)無(wú)限,提供*致臻的服務(wù)是我們工作的宗旨。
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YB6600分立器件圖示儀符合《JJF 1236-2010 半導(dǎo)體管圖示儀校準(zhǔn)規(guī)范》和《GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》,可儀繪制13類(lèi)器件32種曲線(xiàn)。
YB6600分立器件圖示儀可以應(yīng)用在研究所、院校、企業(yè),電子廠IQC部門(mén)做來(lái)料的檢測(cè)和抽檢。
YB6600分立器件圖示儀適用于研究所、院校、企業(yè)、電子產(chǎn)品廠家,用做繪制半導(dǎo)體特性曲線(xiàn),用做測(cè)試晶體管的直流
晶體管圖示儀 產(chǎn)品詳情

一、YB6600晶體管圖示儀特點(diǎn)
1.  曲線(xiàn)基于計(jì)算機(jī)顯示
2.  多種器件的多種曲線(xiàn)
3.  數(shù)據(jù)點(diǎn)是可控的
4.  增量可以是線(xiàn)性或?qū)?shù)
5.  可控的關(guān)斷時(shí)間,以減小器件發(fā)熱
6.  可保存和調(diào)用曲線(xiàn)程序
7.  保存和調(diào)用先前捕獲的曲線(xiàn)圖片
8.  *自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到excel
9.  預(yù)置zui大電壓和zui大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
10. 存儲(chǔ)/調(diào)用測(cè)試程序
11. 多樣的連續(xù)曲線(xiàn)
12. 在測(cè)試程序中的電流限制
13. 使用方便
①選擇曲線(xiàn)  ②輸入范圍  ③按下啟動(dòng)
14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線(xiàn)
二、YB6600晶體管圖示儀系統(tǒng)指標(biāo)
a-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mV—2000V 
a-k 極間測(cè)流范圍:                   ±100pA--49.90A     
a-k 極間加流范圍:                   ±100na--49.90A  
a-k 極間測(cè)壓范圍:                   ±2.500mV—2000V
g-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mV—20V
g-k 極間測(cè)流范圍:                   ±100pA—10A       
g-k 極間加流范圍:                   ±100nA—10A    
g-k 極間測(cè)壓范圍:                   ±2.500mV—20V
a-k 極間加/測(cè)壓精度:              1%+10mV
a-k 極間加/測(cè)流精度:              1%+10nA+20pA/V
g-k 極間加/測(cè)壓精度:             1%+5mV
g-k 極間加/測(cè)流精度:              1%+10nA+20pA/V
電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性:                  2%
zui大電壓分辨率:                      1mV
zui大電流分辨率:                      0.1nA
三、YB6600可實(shí)現(xiàn)曲線(xiàn)(13類(lèi)器件32種曲線(xiàn))
1、mosfet(n-channel&p- channel)(金屬-氧化物-半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管)
id vs vds (在vgs范圍內(nèi))
id vs vgs (在一個(gè)固定的id)
is vs vsd
rds vs vgs (在一個(gè)固定的vds)
rds vs id (在vgs范圍內(nèi))
2、晶體管(transisitor)
hfe vs ic
bvce(o.s.r.v) vs ic
bvebo vs ie
bvcbo vs ic
vce(sat)(在一定的ic/ib比率)
vce(sat) vs ib(在ic的范圍內(nèi))
vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率)
vbe(on) vs ic (在一定的vce)
3、igbt(n-channel&p- channel)(絕緣柵雙極晶體管)
ic vs vce (在vge范圍內(nèi))
ic vs vge (在一定的vce)
ices vs vce
if vs vf
4、diode (二極管)
if vs vf
ir vs vr
5、zener (穩(wěn)壓管)
if vs vf
ir vs vr
6、triac (雙向可控硅)
it vs vt(+/-)  (在一個(gè)固定的ig)
7、scr (單項(xiàng)可控硅)
it vs vtm (在一個(gè)固定的ig)
8、ssvop(固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器)
it vs vt(+/-)  (在一個(gè)固定的ibo)
9、sidac(高壓觸發(fā)二極管)
it vs vt(+/-)  (在一個(gè)固定的ibo)
10、diac(雙向觸發(fā)二極管)
id vs vf(+/-)
11、regulator(穩(wěn)壓器)
electronic load vs v out(在一個(gè)固定zui大電流)
12、j-fet((n-channel&p- channel)) (結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
id(off) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
id(off) vs vgs(在一個(gè)固定的vds)
id(on) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
id(on) vs vgs(在一個(gè)固定的vds)
13、curve tracer mode only(曲線(xiàn)跟蹤模式)
ic vs vce(在一個(gè)固定的ib)
 

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