雙電測(cè)四探針測(cè)試儀/四探針測(cè)試儀 型號(hào)：DP/RTS-5
DP/RTS-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合（亦稱(chēng)雙位組合）測(cè)量新,將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線(xiàn)四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所的儀器是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。
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| DP/ RTS-5型雙電測(cè)四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)是個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶(hù)程序，通過(guò)此測(cè)試程序輔助使用戶(hù)簡(jiǎn)便地行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)行統(tǒng)計(jì)分析。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶(hù)可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)行各種數(shù)據(jù)分析
參數(shù)： | 測(cè)量范圍 | 電阻率：0.001～200Ω.cm（可擴(kuò)展）；
方塊電阻：0.01～2000Ω/□（可擴(kuò)展）；
電導(dǎo)率：0.005～1000 s/cm；
電阻：0.001～200Ω.cm； | | 可測(cè)晶片厚度 | ≤3mm | | 可測(cè)晶片直徑 | 140mmX150mm（配S-2A型測(cè)試臺(tái)）；
200mmX200mm（配S-2B型測(cè)試臺(tái)）；
400mmX500mm（配S-2C型測(cè)試臺(tái)）； | | 恒流源 | 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) | | 數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動(dòng)顯示； | | 四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm；
針間緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）； | | 四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | （見(jiàn)探頭附帶的合格證） | | 模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
（ 按JJG508-87行） | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 | | 整機(jī)測(cè)量Z大相對(duì)誤差 | （用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±4% | | 整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤4% | | 計(jì)算機(jī)通訊接口 | 并口 | | 標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無(wú)頻干擾；
無(wú)強(qiáng)光直射； | |
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