粒子識(shí)別、望遠(yuǎn)探測(cè)器、任何類型的ΔE測(cè)量。除ΔE/Δx實(shí)驗(yàn)外,B系列探測(cè)器的均勻場(chǎng)還使其成為上升時(shí)間甄別或精確定時(shí)實(shí)驗(yàn)的。這些探測(cè)器也可在任何使用A系列探測(cè)器的實(shí)驗(yàn)中使用;如果有發(fā)生輻射損壞的風(fēng)險(xiǎn),B系列探測(cè)器則更適用。
資料 +
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B系列宣傳冊(cè)
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B系列宣傳冊(cè)(A4)
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安裝布局 +
訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。
A 這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”;即硅晶片在其環(huán)上,沒(méi)有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供
T 側(cè)面的Microdot;無(wú)可調(diào)螺絲。(向后開(kāi)口。)
尺寸以毫米為單位。
§僅內(nèi)置于Microdot連接器內(nèi)。
對(duì)于1500或2000 μm深的探測(cè)器,在Y尺寸上增加1.5 mm。
探測(cè)器尺寸 (mm2)
W (標(biāo)稱)A型 T型§透射安裝座 X Y X Y Z 050 8.0 15.2 3.7
19.4 7.9 9.9 150 13.8 22.0 3.7
26.1 7.9 9.9 300 19.5 27.1 3.7
31.6 7.9 9.9 450 23.9 30.5 3.7
34.8 7.9 9.9 Tolerance ±0.5 ±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
訂購(gòu)信息 +
訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。
除非另有說(shuō)明,否則提供T型安裝座。
*所有標(biāo)準(zhǔn)耗盡的探測(cè)器都以特定的角度從母晶體上偏軸切割,這將限度地減少離子穿隧效應(yīng)。除非以適當(dāng)?shù)淖帜盖熬Y另行指定,否則提供T安裝座。可為特殊訂單提供其他面積和深度。
**型號(hào)的前三位數(shù)字表示使用標(biāo)準(zhǔn)ORTEC電子設(shè)備和0.5-μs整形時(shí)間常數(shù)時(shí),241Am,5.486-MeV α的總系統(tǒng)分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發(fā)生器寬度FWHM。
§需要特殊訂單。
注:兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過(guò)特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。
有效面積 (mm2)保證分辨率**(keV)
耗盡深度150 µm
范圍125-175µm耗盡深度200 µm
范圍176-225µm耗盡深度250 µm
范圍226-275µmα
β
型號(hào)
型號(hào)
型號(hào)
50
15
166
7B-015-050-150
B-016-050-150B-015-050-200
B-016-050-200B-015-050-250
B-016-050-250150
17
189
10B-017-150-150
B-018-150-150B-017-150-200
B-018-150-200B-017-150-250
B-018-150-250300
19
2012
15B-019-300-150
B-020-300-150B-019-300-200
B-020-300-200B-019-300-250
B-020-300-250450
23
2417
19B-023-450-150
B-024-450-150B-023-450-200
B-024-450-200B-023-450-250
B-024-450-250
有效面積 (mm2)保證分辨率**(keV)
耗盡深度300 µm
范圍276-350µm耗盡深度400 µm
范圍351-450µmα
β
型號(hào)
型號(hào)
50
15
166
7B-015-050-300
B-016-050-300B-015-050-400
B-016-050-400150
17
189
10B-017-150-300
B-018-150-300B-017-150-400
B-018-150-400300
19
2012
15B-019-300-300
B-020-300-300B-019-300-400
B-020-300-400450
23
2417
19B-023-450-300
B-024-450-300B-023-450-400
B-024-450-400
有效面積 (mm2)保證分辨率**(keV)
耗盡深度500 µm
范圍451-550µm耗盡深度700 µm
范圍650-750µm耗盡深度1000 µm
范圍950-1050µmα
β
型號(hào)
型號(hào)
型號(hào)
50
15
168
9B-015-050-500
B-016-050-500B-015-050-700
B-016-050-700B-015-050-1000
B-016-050-1000150
17
189
10B-017-150-500
B-018-150-500B-017-150-700
B-018-150-700B-
B-300
19
2013
14B-019-300-500
B-020-300-500B-019-300-700
B-020-300-700B-
B-450
21
2316
18B-021-450-500
B-023-450-500B-021-450-700
B-023-450-700B-
B-
有效面積 (mm2)保證分辨率**(keV)
耗盡深度1500 µm§
范圍1450-1550µmα
β
型號(hào)
50
17
1912
14B-017-050-1500
B-019-050-1500150
19
2114
16B-
B-300
21
16
B-
450
24
19
B-
有效面積 (mm2)保證分辨率**(keV)
耗盡深度2000 µm§
范圍1950-2050µmα
β
型號(hào)
50
18
13
B-018-050-2000
150
20
15
B-
300
23
18
B-
450
26
21
B-