KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SDB晶振,日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.石英晶振,貼片溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDB晶振
日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個(gè)理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)環(huán)境友好。
型號(hào) | DSB221SDB晶振(TCXO) | |
輸出頻率范圍 | 9.6~52MHz | |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 13/19.2/20/26/38.4/40/52MHz | |
電源電壓范圍 | +1.7~+3.5V | |
電源電壓(Vcc) | +1.8V/ +2.6V/ +2.8V/ +3.0V/ +3.3V | |
消耗電流 | +1.5mA max.(f≦26MHz) | |
待機(jī)時(shí)電流 | - | |
輸出電壓 | 0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) | |
輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF | |
頻率穩(wěn)定度 | 常溫偏差 | ±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 | ±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ | |
電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) | |
負(fù)載變化特性 | ±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) | |
長(zhǎng)期變化 | ±1.0×10-6 max./year | |
頻率控制 | 控制靈敏度 | - |
頻率控制極性 | - | |
啟動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max. |
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如32.768K晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進(jìn)口晶振已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。石英晶振,貼片溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDB晶振
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用高精度晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將:
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).
環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、2520石英晶振,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
日本大真空晶體將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.
有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖.
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開。石英晶振,貼片溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDB晶振