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S200B 晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

參考價(jià)訂貨量

1000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)S200B
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2024-10-31
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限3
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量458
  • 人氣值87476
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      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)銷(xiāo)售,致力于滿(mǎn)足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶(hù)提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶(hù)構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿(mǎn)足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來(lái),公司將繼續(xù)以“為客戶(hù)提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。







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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制 工作環(huán)境25±10℃
測(cè)試范圍±300mV~±300V/±100pA~±3A 測(cè)試精度0.03%
武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性?xún)r(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作
晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表 產(chǎn)品詳情

在半導(dǎo)體和集成電路工藝中,材料、晶圓、芯片的測(cè)試是不可少的環(huán)節(jié)。數(shù)字源表SMU具備源測(cè)功能,可以產(chǎn)生電流-電壓(I-V)特性曲線,是半導(dǎo)體材料、器件電性能表征測(cè)量的核心。在測(cè)試時(shí),通過(guò)數(shù)字源表提供激勵(lì)并對(duì)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行采集,首先將電流或電壓輸入被測(cè)器件(DUT),測(cè)量該器件對(duì)此輸入信號(hào)的響應(yīng);這些信號(hào)的路徑為:源表的輸出端接入電纜,電纜和探針連接,電流或電壓信號(hào)通過(guò)探針至芯片。晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表就找普賽斯儀表

晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表


S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì):
1、多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性,電壓高達(dá)300V,電流低至30pA;
2、實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行,提高測(cè)試效率。
3、具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能,可進(jìn)行自我限制,避免因過(guò)充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害;
精確的電壓電流限制功能,為器件提供完善的保護(hù)功能,避免器件損壞。
4、觸屏圖形化操作,使用簡(jiǎn)單。開(kāi)放式平臺(tái),可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開(kāi)發(fā)軟件。


產(chǎn)品特點(diǎn)
5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作           

內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶(hù)完成測(cè)試,如LIV、PIV

源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.03%

四象限工作(源和肼),源及測(cè)量范圍:高至300V,低至3pA

豐富的掃描模式,支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶(hù)自定義掃描

支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)


技術(shù)參數(shù)

Z大輸出功率:30W,4象限源或肼模式;

源限度-電壓源:±10V(≤3A量程),±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);


源限度-電流源:±3A(≤10V量程),±1A(≤30V量程),±100mA(≤300V量程);


過(guò)量程: 105%量程,源和測(cè)量;


穩(wěn)定負(fù)載電容:<22nF;


寬帶噪聲(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值);


線纜保護(hù)電壓:輸出阻抗30KΩ,輸出電壓偏移<80mV;


最大采樣速率:S系列1000 S/s,SXXB系列32000S/s;


觸發(fā):支持IO觸發(fā)輸入及輸出,觸發(fā)極性可配置;


輸出接口:前后面板香蕉頭插座輸出,同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口;


通信口:RS-232、GPIB、以太網(wǎng);


電源:AC 100~240V 50/60Hz;


工作環(huán)境:25±10℃;


尺寸:106mm高 × 255mm寬 ×425mm長(zhǎng);

重量:5KG

質(zhì)保期:1年


S系列源表應(yīng)用

分立器件特性測(cè)試:電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SiC、GaN等器件;
能量與效率特性測(cè)試:LED/AMOLED、太陽(yáng)能、電池、DC/DC轉(zhuǎn)換器;
傳感器特性測(cè)試:電阻率、霍爾效應(yīng)等;
有機(jī)材料特性測(cè)試:電子墨水、印刷電子技術(shù)等;
納米材料特性測(cè)試:石墨烯、納米線等;
激光器特性測(cè)試:窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng);
功率器件:靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng);
電流傳感器:動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng);


晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢(xún),普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、帥先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體??勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器,波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡?、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。不論使用者對(duì)源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉,都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結(jié)果。


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