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710 掃描俄歇納米探針

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  • 型號(hào)
  • 品牌
  • 所在地上海
  • 更新時(shí)間2024-08-09
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)上海
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量167
  • 人氣值1645
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上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領(lǐng)域的設(shè)備銷售、系統(tǒng)集成、設(shè)備國產(chǎn)化的公司。主要為高校、研究所、中試量產(chǎn)線及晶圓FAB廠提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備、檢測設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備。目前公司已成為國內(nèi)少數(shù)幾家專業(yè)提供半導(dǎo)體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業(yè)。公司主要成員為復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)博士,擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)過硬的團(tuán)隊(duì)。能夠出色地完成售前售中、售后的服務(wù)。目前公司已與眾多國際半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根據(jù)用戶的科研方向和量產(chǎn)的器件類別提供相應(yīng)的全套設(shè)備選型和工藝整體解決方案。
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PHI 710 掃描俄歇納米探針是一臺(tái)高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)材料表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,PHI 710 可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
710 掃描俄歇納米探針 產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

SEM分辨率 ≤ 3 nm, AES分辨率 ≤ 8 nm

在俄歇能譜的采集分析過程中,包括譜圖,深度剖析及元素分布成像,首先需要在 SEM 圖像上定義樣品分析區(qū)域,同時(shí)要求束斑直徑小且穩(wěn)定。PHI 710 SEM 圖像的空間分辨率小于 3 nm,AES的空間分辨率小于 8 nm(@ 20 kV, 1 nA),如下圖所示。


圖1 Si基底上的Au的SEM圖像,PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm

圖2 鑄鐵韌性斷裂的界面分析,左邊是SEM圖像,中間是鈣,鎂,鈦的俄歇成像譜圖疊加,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級(jí)的尺度下的化學(xué)態(tài)的分析能力


同軸筒鏡分析器(CMA





PHI 公司電子槍和同軸筒鏡分析器同軸的幾何設(shè)計(jì),具有靈敏度高和各個(gè)角度均可收集信號(hào)的特點(diǎn),滿足了表面粗糙不平整樣品對(duì)俄歇分析全面表征能力的需求。如上圖所示,所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個(gè)方向收集而來,成像沒有陰影。若設(shè)備配備的不是同軸分析器,則儀器的靈敏度會(huì)降低,且成像有陰影,一些分析區(qū)域會(huì)由于位置的原因而無法分析。如果想要得到高靈敏度,只能分析正對(duì)著分析器的區(qū)域。如下圖所示,若需要對(duì)顆粒的背面,顆粒與顆粒之間的區(qū)域分析,圖像會(huì)有陰影。




俄歇能譜儀的化學(xué)態(tài)成像

圖譜成像

PHI 710 能從俄歇成像分析的每個(gè)像素點(diǎn)中提取出譜圖的相關(guān)信息,該功能可實(shí)現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像。


高能量分辨率俄歇成分像

下圖是半導(dǎo)體芯片測試分析,測試的元素是 Si。通過對(duì) Si 的俄歇影像進(jìn)行線性最小二乘法擬合(LLS),俄歇譜圖很清楚地反映出了三個(gè) Si 的不同化學(xué)態(tài)的區(qū)域,分別是:單質(zhì)硅,氮氧化硅和金屬硅,且可以從中分別提取出對(duì)應(yīng)的 Si 的俄歇譜圖,如最下方三張圖所示。




納米級(jí)的薄膜分析

如下圖SEM圖像中所示,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設(shè)置了一個(gè)分析點(diǎn),分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%),電子束直徑 20 nm,離子槍采用 0.5 kV 設(shè)定,如下圖所示,在 MultiPak 軟件中,采取最小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區(qū)分金屬硅和硅化物??梢钥闯?,硅鎳化合物僅存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是,在鎳涂層的缺陷處,發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物。



PHI SmartSoft-AES用戶界面

PHI SmartSoft 是一個(gè)方便使用的儀器操作軟件。軟件通過任務(wù)導(dǎo)向和卷標(biāo)橫跨頂部的顯示指導(dǎo)用戶輸入樣品,定義分析點(diǎn),并設(shè)定分析。一個(gè)強(qiáng)大的“自動(dòng)Z軸定位”功能可定義多個(gè)分析點(diǎn)并達(dá)到理想的樣品分析定位。簡潔明了的界面設(shè)計(jì)及軟件功能設(shè)置可以讓操作者快速上手,方便設(shè)置,保存和調(diào)取分析參數(shù)。




PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件

MultiPak 軟件擁有全面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫。采譜分析,線掃描分析,成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用 MultiPak 來處理。它強(qiáng)大的功能包括峰的定位,化學(xué)態(tài)信息及檢測限的提取,定量測試和圖像的增強(qiáng)等。




選配件

真空室內(nèi)原位樣品放置臺(tái)

原位斷裂

真空傳送管

預(yù)抽室導(dǎo)航相機(jī)

電子能量色散探測器(EDS)

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背散射電子探測器(BSE)

聚焦離子束(FIB)


應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體組件:缺陷分析、刻蝕/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析、封裝問題分析等、FIB組件分析

顯示器組件:缺陷分析、刻蝕/清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析等

磁性儲(chǔ)存組件:定義層、表面元素、接口擴(kuò)散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁頭缺陷分析、殘余物分析等

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