功率半導體是電子產業(yè)鏈中最核心的一類器件，能夠實現電能轉換和電路控制作用。功率半導體包括功率半導體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導體分立器件按照器件結構可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據性能不同，廣泛應用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領域。
隨著行業(yè)技術革新和新材料性能發(fā)展，功率半導體器件結構朝復雜化演進，功率半導體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導體材料迅速發(fā)展，它們通常具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器等方面展現出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展領城。另外，由于不同結構和不同襯底材料的功奉半導體電學性能和成本各有差異，在不同應用場景各具優(yōu)勢。
功率半導體的生產流程，主要包括設計驗證、晶圓制造、封裝測試三個主要環(huán)節(jié)，其中，每一個生產環(huán)節(jié)又包含若干復雜的工藝制程。
PMST系列大功率器件測試儀器+功率半導體參數分析儀是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET. BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。
針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數全自動化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)。
產品特點
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)
高精度測量
納安級漏電流, μΩ級導通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
擴展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
大功率器件測試儀器+功率半導體參數分析儀測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產與銷售的研發(fā)型高新技術企業(yè)。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導體行業(yè)高可靠高質量發(fā)展。
