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PMST-8000V 功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀

參考價(jià)訂貨量

1000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)PMST-8000V
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2024-04-26
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限3
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量458
  • 人氣值87358
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同類產(chǎn)品

      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來(lái),公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。







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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制 集電極-發(fā)射極最大電壓8000V
最大電流6000A 漏電流測(cè)試范圍1nA~100mA
普賽斯功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀 產(chǎn)品詳情

武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品,專注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試,提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來(lái),普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。

功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀



功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀解決方案            

       為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)功率器件的測(cè)試需求,武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的功率半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試,具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測(cè)量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價(jià)比,提高測(cè)試效率以及產(chǎn)線UPH。    

   

       功率半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠在從測(cè)量設(shè)置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個(gè)表征過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。    


功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀    


        功率半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA漏電流;集電極-發(fā)射極,Z大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;Z高支持 3500V(可擴(kuò)展至10kV)電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率Z高支持1MHz,可靈活選配。    


系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)/Feature                            

PART                    

01                    

IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量,施加應(yīng)力時(shí)間長(zhǎng),溫度迅速上升,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞,且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms,在測(cè)試過(guò)程中能夠減少待測(cè)物加電時(shí)間的發(fā)熱                    


                   

功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀                        

PART                    

02                    

高壓下漏電流的測(cè)試能力,測(cè)試覆蓋率優(yōu)于國(guó)際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示,小模塊在高溫測(cè)試時(shí)漏電流一般大于5mA,而車規(guī)級(jí)三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH  Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例:3300V,125℃測(cè)試條件下ICES典型值14mA,Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測(cè)試幾乎可以W美應(yīng)對(duì)所有類型器件的漏電流測(cè)試需求。

PART                    

03                    

此外,VCE(sat)測(cè)試是表征  IGBT  導(dǎo)通功耗的主要參數(shù),對(duì)開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源,脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱,同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。


                   

IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)大電流模塊:50us—500us  的可調(diào)電流脈寬,上升邊沿在 15us(典型值),減少待測(cè)物在測(cè)試過(guò)程中的發(fā)熱,使測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。下圖為 1000A  波形:


                   


               

PART                    

04                    

快速靈活的客制化夾具解決方案:強(qiáng)大的測(cè)試夾具解決方案對(duì)于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何,普賽斯均可以快速響應(yīng)用戶需求,提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn),可用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管,模組類產(chǎn)品的測(cè)試。


功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀                            

結(jié)束語(yǔ)                            


功率半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品,以往在國(guó)際市場(chǎng)上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備保有國(guó)出口管制的升級(jí),對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠家來(lái)說(shuō)既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。未來(lái),武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì),持續(xù)推動(dòng)J端產(chǎn)品落地應(yīng)用,真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價(jià)值。功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備龍頭就找武漢普賽斯儀表


   功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀功率器件測(cè)試機(jī)igbt模塊測(cè)試儀






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