- 麥科信 SigOFIT 光隔離探頭產(chǎn)品參數(shù)表
- 麥科信 SigOFIT 光隔離探頭特點(diǎn)
產(chǎn)品參數(shù)表
| 型號(hào) | OIP100 | OIP200 | OIP350 | OIP500 | OIP800 | OIP1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MOIP100 | MOIP200 | MOIP350 | MOIP500 | MOIP800 | MOIP1000 | |
| 帶寬 | 100MHz | 200MHz | 350MHz | 500MHz | 800MHz | 1GHz |
| 上升時(shí)間 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤1ns | ≤700ps | ≤438ps | ≤350ps |
| 共模抑制比 | DC: 180dB 100MHz: 128dB | DC: 180dB 200MHz: 122dB | DC: 180dB 350MHz: 118dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB | DC: 180dB 800MHz: 110dB | DC: 180dB 1GHz: 108dB |
| 差模電壓 | ±6250V | ±5000V | ||||
| 底噪 | <0.45mVrms | <0.45mVrms | ||||
| 直流增益精度 | 1% | |||||
| 共模電壓 | 85kVpk | |||||
*注：MOIP系列為Mic-OPI™專業(yè)接口，無(wú)需額外插適配器供電；OIP系列為BNC通用接口。
特點(diǎn)
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有很高的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見(jiàn)信號(hào)的全部真相，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。此外，SigOFIT光隔離探頭采用的激光供電技術(shù)，解決了隔離供電的問(wèn)題。
真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)
SigOFIT光隔離探頭具有很高的共模抑制比，在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在1GHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)108dB，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。
很高的測(cè)試精度與穩(wěn)定性
作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判，測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭，具有很佳的幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于0.45mVrms，預(yù)熱5min后零點(diǎn)漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半導(dǎo)體的較佳測(cè)試手段
第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短，信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿，信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在帶寬時(shí)，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號(hào)沒(méi)有額外多余成分，是第三代半導(dǎo)體測(cè)試的。
測(cè)試氮化鎵（GaN）不炸管
SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容最小僅1pF，測(cè)試氮化鎵（GaN）十分安全。
使用靈活，高效便捷
SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便；探頭響應(yīng)快，上電即測(cè)，校準(zhǔn)時(shí)間小于1秒，可實(shí)時(shí)保證精確的信號(hào)輸出。
測(cè)試量程更寬
不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào)，SigOFIT光隔離探頭通過(guò)匹配不同的衰減器，可以測(cè)試±0.01V至±6250V的差模信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出，達(dá)到很高的信噪比。
專業(yè)接口
MOIP系列為Mic-OPI™專業(yè)接口，無(wú)需額外插適配器供電；
OIP系列為BNC通用接口，可連接所有示波器。
應(yīng)用場(chǎng)景
對(duì)其他電壓探頭所測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時(shí)，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。
電源設(shè)備評(píng)估、電流并聯(lián)測(cè)量、EMI 和 ESD 故障排除
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)
氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析
高壓高帶寬測(cè)試應(yīng)用的安全隔離測(cè)試
逆變器、UPS及開(kāi)關(guān)電源的測(cè)試
寬電壓、寬帶測(cè)試應(yīng)用
各種浮地測(cè)試
