技術指標：
1. 分辨率
二次電子 (SE) 成像：
分辨率：1.0nm@30kV，分辨率：3.0nm@1kV
背散射電子（BSE）成像：分辨率：2.5nm@20kv
2. 放大倍數(shù)
15 x -800,000 x，實時顯示屏幕放大倍數(shù)
3. 加速電壓
0～30kV
4. 電子槍
Schottky肖特基場發(fā)射電子槍；
自動調整功能：聚焦、亮度/對比度、消像散、動態(tài)聚焦、電子束對中等。
5. 鏡筒
高性能透鏡系統(tǒng)
物鏡光闌：三個可在真空外調節(jié)，無需拆卸鏡筒即可更換物鏡光闌
6. 真空系統(tǒng)
2個離子泵，1個渦輪分子泵，1個機械泵；樣品室真空優(yōu)于6×10-4 Pa ，槍真空優(yōu)于1×10-6Pa。全自動真空控制，具有真空互鎖功能。
7. 探測器
高真空二次電子探測器。
背散射電子探測器
紅外CCD檢測器
8. 自動樣品臺
五軸全自動預對中樣品臺，重復定位精度2μm。
行程：X≤ 75mm，Y≤ 75mm，Z≤ 60mm
旋轉：360°連續(xù)
傾斜： -5°～+75°
- 更多詳細參數(shù)請致電咨詢！
