作為德國PE公司中國區(qū)域代理，裕隆時代向用戶提供基于EBIC電子束感生電流技術(shù)和EBAC電子束吸收電流分析技術(shù)的EFA電性失效分析系統(tǒng)。
EFA電性失效分析系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
分辨率下表征樣品連接處的性能
亞微米平面分辨率下揭示電路集成
診斷電路結(jié)構(gòu)和其他長期課題，包括電路污染、金屬花斑缺陷（pattering defects），電阻互聯(lián)板（resistive interconnectors）或者電遷移（electro-migration）
直接辨別電路缺陷到具體某一層和失效的具體位置，迅速改進(jìn)從而有效提生產(chǎn)品質(zhì)量
對樣品中的開路、有阻值或者短路缺陷進(jìn)行精準(zhǔn)定位
對金屬線中由于斷裂、腐蝕、電子遷移或者外來顆粒造成的電路阻斷進(jìn)行精準(zhǔn)定位
準(zhǔn)確識別連接處由于界面污染造成的電阻開路
FIB制樣過程中精準(zhǔn)定位，為透射電鏡做出高質(zhì)量樣品
可在在很薄的絕緣體層中確定缺陷位置
在全部失效前，直接觀測柵極氧化層（GOX）和氧化電容器（COX）中的缺陷，并對其精準(zhǔn)定位
亞微米分辨率下，精準(zhǔn)定位由靜電放電（ESD）和過電應(yīng)力（EOS）導(dǎo)致的氧化物短路
定位過程中，通過低至nW級的電力損耗，可有效保護(hù)樣品的原始缺陷特征
1歐姆精度下，可對低至100歐姆電阻結(jié)構(gòu)制圖
高空間分辨率下繪制電阻圖，受限于掃描電鏡的 電子束和樣品作用體積(interaction volume)
確認(rèn)電阻和電容中相對標(biāo)稱值的偏離
揭示CMOS的連接、電阻和電容結(jié)構(gòu)中的損壞和失效機(jī)理
適用于SEM/FIB的納米探針樣品臺
多達(dá)8個納米探針機(jī)器人，用于納米分辨率下的X，Y，Z軸運(yùn)動和旋轉(zhuǎn)
可取出的附帶原位電器的納米探針樣品臺，用于低噪音快速分析
高度軟件集成和軟件控制
也適用于光學(xué)顯微鏡
裕隆時代，您明智的選擇！
