產(chǎn)品特點(diǎn)
nanoplus是一家提供2800nm-6500nm之間任意中心波長(zhǎng)的帶間級(jí)聯(lián)激光器（Interbａnd Cascade Lasers，簡(jiǎn)稱ICL激光器）的廠家。ICL激光器是在中紅外波段的一個(gè)創(chuàng)新性產(chǎn)品，開辟了TDLAS在中紅外領(lǐng)域的全新應(yīng)用。
ICL激光器在中紅外波段尤其是3～6 μm區(qū)域DFB激光器和QCL存在的不足。在這個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)，大部分氣體都有其的吸收線，吸收強(qiáng)度比其它紅外區(qū)域高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)，比如CH4, HCl, CH2O, HBr, CO, CO2, NO和 H2O等。
使用痕量氣體的吸收線有助于：提高檢測(cè)速度、降低噪聲、小型化設(shè)備。
nanoplus ICL激光器是2012年棱鏡獎(jiǎng)得主：
nanoplus DFB-ICL帶間級(jí)聯(lián)激光器在2012年獲得由國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)（SPIE）和Photonice Media共同評(píng)選出來的棱鏡光子學(xué)創(chuàng)新獎(jiǎng)（Prism Award），并于2012年1月底在舊金山舉行頒獎(jiǎng)典禮。ICL激光器覆蓋從2800nm到6500nm整個(gè)波長(zhǎng)范圍，許多突出的氣體種類在這個(gè)范圍具有它們的吸收特征，開辟了此波段的可調(diào)諧二極管激光光譜學(xué)的研究和應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù)
ICL激光器的參數(shù)特性與近紅外DFB激光器參數(shù)非常相似。如下圖所示，46xx nm和52xx nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)器件的典型特性參數(shù)，可見ICL激光器在20℃的工作溫度下，在輸出功率典型值為5mW的情況下，電路功耗閾值只有150mW，具有非常低的功耗。
以5262.9nm ICL激光器作為例子：
| 電子光學(xué)特性 (T = 25 °C) | 符號(hào) | 單位 | 最小 | 標(biāo)準(zhǔn) | |
| 中心波長(zhǎng) | λ | nm | 5262 | 5263 | 5264 |
| 閾值電流 | Ith | mA | 50 | ||
| 溫度調(diào)諧系數(shù) | CT | nm / K | 0.2 | ||
| 電流調(diào)諧系數(shù) | CI | nm / mA | 0.3 | ||
| 慢軸 (FWHM) | degrees | 35 | |||
| 快軸 (FWHM) | degrees | 55 | |||
| 存儲(chǔ)溫度 | TS | °C | + 20 | ||
| 操作溫度 | Tc | °C | + 25 |
ICL發(fā)展歷程
ICL激光器的發(fā)展歷程：
1994 年美國(guó)加利福尼亞技術(shù)研究所噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室的Rui.Q.Yang首先提出了第二型帶間級(jí)聯(lián)激光器(ICL)的概念。破隙型的InAs/AlSb/GaSb 超晶格具有較大的導(dǎo)帶不連續(xù)，能提供非常好的自由載流子限制，而且GaSb、InAs及AlSb 的晶格常數(shù)非常接近，有利于生長(zhǎng)高質(zhì)量材料，因此它很適合做第二型ICL 的材料。
第二型ICL的概念提出以后，理論預(yù)測(cè)它能夠在室溫下以連續(xù)波(CW) 模式激射，且具有高的輸出功率和低的閾值電流密度。許多研究機(jī)構(gòu)對(duì)第二型ICL進(jìn)行了大量的研究，其中包括休斯敦大學(xué)真空外延中心、美國(guó)實(shí)驗(yàn)室、美國(guó)實(shí)驗(yàn)室和加利福尼亞技術(shù)研究所噴氣推進(jìn)力實(shí)驗(yàn)室等。直到2012年，個(gè)商業(yè)化ICL激光器獲得成功，由德國(guó)nanoplus公司聯(lián)合維爾茨堡大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)成功研制，已經(jīng)成功推出了3～6μm 波長(zhǎng)范圍的ICL激光器，在這個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)，具有非常多高靈敏度的氣體吸收線，比如CH4, HCl, CH2O, HBr, CO, CO2, NO和 H2O等，將會(huì)給激光氣體分析應(yīng)用帶來全新的應(yīng)用。
閾值功率密度是衡量激發(fā)激光需要消耗能量大小的指標(biāo)，閾值功率密度越高，意味著同樣的光輸出功率需要輸入越高的電流，消耗越高的能量，并產(chǎn)生越多的熱量。黑色代表VCSEL、DFB激光器，在2～3.5μm閾值功率密度越來越高，綠色和藍(lán)色代表ICL激光器，在3～7μm閾值功率密度越來越高，紅色代表QCL激光器，閾值功率密度相比VCSEL、DFB、ICL都要高，尤其是在4μm以內(nèi)變得特別高。從上圖可以看出，VCSEL激光器、DFB激光器在3微米以內(nèi)具有較低的閾值功率密度，ICL激光器在3～6μm具有較低的閾值功率密度，QCL均具有較高的閾值功率密度。
