ANS305-DP 單晶硅差壓變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓
力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，
玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線
路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)
荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁*力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、
液位或流量測量應(yīng)用。
主要參數(shù)測量介質(zhì)產(chǎn)品概述 ANS305-DP 單晶硅差壓變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁*力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測量應(yīng)用。技術(shù)參數(shù)標(biāo)稱量程 6kPa 40kPa 250kPa 1MPa 3MPa 10MPa最小量程 200Pa 400Pa 2.5kPa 10kPa 30kPa 100kPa量程下限(URL） 6kPa 40kPa 250kPa 1MPa 3MPa 10MPa* 靜壓范圍 25MPa 40MPa 40MPa 40MPa 40MPa 40MPa*單項(xiàng)高壓端過載 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa*單項(xiàng)低壓端過載 16MPa 16MPa 16MPa 16MPa 3MPa** 3MPa**設(shè)置高、低限值要求：低限值（LRL ）與高限值（URL ）在量程上下限范圍內(nèi)取值，當(dāng) |URL ?≥ |LRL ?時(shí)，須滿足 |URL ?≥最小量程；當(dāng) |URL ?≤ |LRL ?時(shí)，須滿足 |LRL ?≥最小量程 * 過壓限定值：取決于承壓能力最弱部件的壓力值，此過載壓力為傳感器所能承受的大壓力，而非產(chǎn)品本身所能承受的大壓力。 ** 如果加壓 3MPa 以上，會對傳感器造成損壞壓力類型 差壓量程范圍 200Pa~10MPa，詳見選型表輸出信號 4-20mA、4-20mA+HART、Modbus RTU RS485 - / 及其它參考精度 ±0.075% 量 程 上 限， 可 選 ±0.05%量程上限，詳見規(guī)格參數(shù)與接觸材質(zhì)兼容的流體應(yīng)用場合壓力、液位、差壓、密度、界面、流量性能測試標(biāo)準(zhǔn)及基準(zhǔn)條件性能測試 測試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T28474/IEC60770；基準(zhǔn)條件：從零點(diǎn)開始的量程；硅油充液，316L 不銹鋼隔離膜片，4-20mA 模擬輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值 總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、【靜壓影響 】、和其它影響的綜合誤差 典型精度： ±0.075% 量程上限 年穩(wěn)定性：±0.2%SPAN/5 年
